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东洋纺推出硅芯片膨胀系数相同的聚酰亚胺薄膜
2007-6-8       中国聚合物网
    

  东洋纺在“JPCAShow2007”(2007年5月30日~6月1日,东京有明国际会展中心)上,展出了线膨胀系数与硅芯片相同的聚酰亚胺薄膜“Zenomax”。

  原来的聚酰亚胺薄膜的线膨胀系数为20~30ppm/℃,而新开发的产品则与硅片相同,仅为3ppm/℃。因此,由温度变化导致的硅芯片与聚酰亚胺之间的剥离就不易产生,东洋纺认为可将聚酰亚胺作为封装底板使用。 

  Zenomax还具有高耐热性特点。原来的聚酰亚胺的耐热温度为350℃,而此次开发的产品为500℃。

  该薄膜是通过将该公司的核心技术――耐热聚合物合成技术与薄膜制膜技术的相互融合实现的。为了实现与硅芯片相同的线膨胀系数,通过对单体材料实施某种特殊处理进行了聚合。可制造的薄膜厚度在5μm以上。

  开发产品的目标是替代积层多层板、新一代半导体封装的绝缘材料,乃至陶瓷底板。另外,东洋纺认为,此次的薄膜还可应用于配备有加热器的底板等在高温下使用的底板。该公司打算在1~2年内向市场投放产品。

(责任编辑:蓝剑)
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