用溶胶凝胶法合成了Y2- xSiO5∶Eux 纳米发光材料, 使用XRD、FTIR 和TEM对其结构进行了表征。讨论了相结构、煅烧温度和Eu3+掺杂浓度对材料发光性能的影响及规律。结果显示煅烧温度在900 ℃以下, 材料主要呈非晶相结构, 900 ℃以上材料主要呈晶态结构; 颗粒随煅烧温度升高而增大, 在非晶态时颗粒大小在15~45 nm, 在晶态时颗粒大小为60~80 nm。激发光谱和荧光发射光谱受材料晶相结构以及Eu3+掺杂浓度的影响, 在晶态结构中Y2- xSiO5∶Eux 纳米材料呈现更精细的激发和发射光谱。在激发光谱中, 电荷转移态吸收(CST)随煅烧温度升高呈现兰移现象, 晶态时CST 同非晶态相比明显红移; 在发射光谱中, 非晶态时5D0→7F2 跃迁呈现强的发光峰, 随材料制备温度升高而增强, 在晶态时该发光峰强度减弱, 在长波波段呈现两个新的发光尖峰, 并随煅烧温度升高而增强; 5D0→7F1 发射峰从非晶态转变为晶态后, 光谱裂分为三重尖峰; 而5D0→7F0 跃迁发光光谱受结构和颗粒大小影响较小。同时在60~80 nm 的Y2- x SiO5∶Eux 晶体中, 发现材料5D0→7F2 和5D0→7F1 跃迁发光强度, 均受Eu3+掺杂浓度的影响, 当掺杂浓度x=0.4 时, 材料发光强度最大。