中国聚合物网--硅材料国家重点实验室, 浙江大学

硅材料国家重点实验室, 浙江大学

内容简介：
【研究方向】
(l)大直径硅单晶生长及硅中微杂质、微缺陷基础研究；
(2)半导体薄膜生长、物性评价及器件应用研究；
(3)复合半导体光功能材料研究；
(4)复合信息功能材料的基础研究；
(5)半导体材料性质、分析测试方法及其基础理论研究。　　

【简介】
硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)于 1985年由国家计委批准投资建设，1987年通过国家验收，1988年对外开放。目前硅材料国家重点实验室已成为国家在硅材料及半导体材料的科学研究创新及高级人才培养的主要基地之一，是对外学术交流的重要窗口。
以本室为核心的浙江大学材料物理与化学学科是全国重点学科，早在86年建立国内第一个半导体材料工学博士点。

本实验室从50年代初就开始半导体材料研究，至今已取得了一系列重要成果。在硅单晶生长技术，探测器级高纯硅单晶，硅单晶中碳、氧的控制，以及硅单晶的电学测量等方面取得过重大成果，获得国家发明二等奖 l项，三等奖2项，省部级科技进步奖十余项。我们在国际上首创了减压氮保护硅单晶技术，该发明在转化为生产力后，己取得显著经济效益，获浙江省重大科技进步贡献奖。目前硅单晶销往美、德等国。现本室在大直径硅单晶生长、硅的缺陷工程以及微氮硅单晶的杂质缺陷的基础研究方面，于国际学术刊物和会议上发表一系列高水平的论文，在国际硅材料学术界占有独特的地位，同时还开展了铸造多晶硅在太阳能电池方面的应用研究。

硅材料国家重点实验室研究领域不断拓宽，92年创建了国内第一台超高真空 CVD外延设备，率先开辟了一个利用超高真空CVD新技术低温生长优质半导体薄膜材料的研究领域。在利用超高真空 CVD低温外延技术生长优质薄硅外延片和新颖锗硅合金材料方面取得很大进展。在宽禁带GaN、ZnO单晶薄膜异质结构生长、ZnO的 P型掺杂关键技术解决及ZnO紫外探测器的制备等方面已取得了突破性进展，为研发新一代半导体材料作出了重要的基础研究工作。

复合半导体光功能材料方面，在有机半导体材料、有机光导鼓和有机／无机复合激光材料与器件方面的研究取得很大进展。
本实验室开展了有关纳米材料的研究使学科领域进一步拓宽。
近几年来，实验室共承担了基金项目60余项，其中国家自然科学重大基金课题 1项，973子项目1项，国家自然科学重点项目 l项，面上基金课题20余项；省部级基金课题40多项，国际协作多项。同时承担国家和浙江省火炬计划项目多项，科研经费达几千万元。在完成的国家自然科学基金项目中被评为特优项目 l项，优秀项目 l项。

实验室拥有一系列先进的半导体材料生长和性能测试分析的大型设备与仪器。在晶体生长和薄膜制备方面，我们有从美国引进的先进 CG6000大直径硅单晶生长炉，具有创新意义的超高真空 CVD外延设备以及MOCVD，液相外延炉，磁控溅射和热蒸发薄膜生长设备等。在半导体分析测试方面，我们的大型仪器有 ESCALAB表面分析谱仪，X光双晶衍射仪，CF35扫描电镜，SSM—350扩展电阻仪，红外光谱仪，CM200型超高分辨透射电子显微镜和 HL5500半导体材料霍尔参数测试仪。

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