分析化学学科研讨会,中国聚合物网

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第六届亚欧研讨会上处理和性能增强聚合物会议文集（2013.6.2-6 武汉）

http://www.polymer.cn/research/dis_list/74

第一届高分子成型加工及其产业发展研讨会论文集(2013.5.10-12,成都)

http://www.polymer.cn/research/dis_list/71

2012年两岸三地高分子液晶态与超分子有序结构学术研讨会（2012.8.26-29，湘潭）

http://www.polymer.cn/research/dis_list/69

2010年全国高分子材料科学与工程研讨会学术论文集（2010.10.27~10.29，南昌）

http://www.polymer.cn/research/dis_list/54

2010’国际阻燃材料与技术研讨会论文集（中文译文）（2010.9.17~20，成都）

http://www.polymer.cn/research/dis_list/49

2008纳米填充阻燃聚合物及复合材料国际学术研讨会（10.16-10.17，北京）

http://www.polymer.cn/research/dis_list/28

2008年第五届两岸三地先进成型技术与材料加工研讨会（11.16-11.17，北京）

http://www.polymer.cn/research/dis_list/26

课题组教师参加中国化学会第七届全国热分析动力学与热动力学学术会议
中国化学会第七届全国热分析动力学与热动力学学术会议于2019年4月19-21日在中国科学技术大学召开。课题组胡艳军教授等参加了本次学术会议。
http://www.polymer.cn/ss/huyanjun/newsshow_6131.html

纳米磨料在二氧化硅介质CMP 中的作用分析
关键字：化学机械抛光,纳米磨料,粒径,浓度,去除速率
二氧化硅是目前IC 生产中应用最广泛的层间介质，为满足光刻的要求，必须采用化学机械抛光（CMP）工艺对介质表面进行平整化加工，分析了二氧化硅介质CMP 机理过程，指出了磨料是影响去除速率及表面状态的关键因素，并以自制纳米二氧化硅水溶胶配制抛光浆料进行CMP 实验研究，采用这种高浓度、易清洗、低分散度的硅溶胶纳米磨料达到了较高的去除速率和较好的表面状态，有效地减少了表面划伤。另外还分析了磨料粒径、...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7062

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