分析化学学科研讨会,中国聚合物网

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影响0-3型复合材料压电性能的因素分析
关键字：复合压电等效
通过引入复合材料的电学等效和机械等效，分析了几种模型中组元性能对复合材料压电性能的影响，提出了改进复合材料压电性能的方法。
http://www.polymer.cn/research/dis_info707

旋转Y切测定La3Ga5SiO14晶体的压电性能及分析
关键字：LGS晶体旋转Y切压电常数
通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量（yxl）-30o切La3Ga5SiO14晶片的相关参数就得到了La3Ga5SiO14晶体较为准确的压电参数。其中La3Ga5SiO14晶体的d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N。（yxl）-30o切La3Ga5SiO14晶片具有较大的机电耦合系数k26/≈13%和较大的机械品质因数Qm≈10000。
http://www.polymer.cn/research/dis_info696

Heusler型Ni2MnGa合金的有序化处理
关键字：Heusler合金热处理 XRD分析有序化
研究了热处理工艺条件对非化学计量比的Ni48Mn31Ga21合金的结构有序度的影响。结果表明：对于非化学计量Ni48Mn31Ga21合金，其结构有序化处理工艺宜选用900℃×4d+400℃×50h。
http://www.polymer.cn/research/dis_info642

纳米碳增强碳/酚醛材料的界面结构分析
关键字：碳/酚醛纳米材料界面结构
研究了纳米碳粉强化后的碳/酚醛(C/Ph)复合材料的界面结构，分析了纳米碳粉对碳/酚醛复合材料的界面结构的影响，结果表明，纳米碳粉能有效改善碳化后的碳/酚醛材料的界面结构，界面裂纹宽度明显下降。
http://www.polymer.cn/research/dis_info592

镍电极镀钴基板表面状态分析
关键字：电镀钴表面状态晶体形貌
采用电镀钴的镍基板模拟电镀钴泡沫镍，用SEM、XPS和XRD分析手段，研究了镍电极不同荷电状态下基板材料的表面状态。结果表明，电极化成后镀钴基板表面生成物有CoOOH和Co(OH)2，并且充电状态下生成的CoOOH量多于放电状态；同时发现，化成后的镀钴基板表面生成新的晶体，而且充、放电两种状态下的晶体形貌不同，电极充放电过程中基板表面发生了相变。
http://www.polymer.cn/research/dis_info556

香螺壳的结构特征和晶体学取向分析
关键字：贝壳结构特征择优取向
用光学显微镜和扫描电镜分别观察了香螺壳组织结构和断口形貌，用X射线对各个层面的晶体学取向进行了分析。实验结果表明香螺贝壳由一层柱状方解石和两层交错文片状的文石构成。两层文石层沿横、纵截面方向晶体排列方向相反，其中的文石小板片的排列方向则是互相交替的，且由多级超微结构构成。香螺壳的各个层面的晶体排列存在着明显的择优取向,方解石层择优取向为（104）晶面平行于层面,两层文石层的择优取向为（012）晶面平行于层...
http://www.polymer.cn/research/dis_info417

GaAs与Si之间过渡层的设计及其分析
关键字：晶格失配界面态密度过渡层
从理论上计算出GaAs/Si异质结在Si的（211）面上界面态密度最小，故GaAs在Si（211）面上生长晶格失配度较小。同时，为了缓解晶格失配，我们采用生长一层GaAs多晶层或Te过渡层得到较好的结果。
http://www.polymer.cn/research/dis_info127

快中子辐照CZ-Si的FTIR分析
关键字：快中子辐照辐照缺陷 VO FTIR
应用FTIR技术研究了不同剂量（1×1017~ 1.17×1019n/cm2）快中子辐照直拉硅（CZ-Si）的辐照缺陷和间隙氧在不同温度热处理时的行为。发现随辐照剂量的增加未退火的样品的间隙氧含量迅速下降，并且间隙氧的下降明显分为三个阶段。FTIR谱表明快中子辐照后主要的辐照缺陷为VO(829 cm-1)复合体。在低温条件下热处理300℃ 829cm-1(VO)开始消失并出现了825 cm-1 (V2O2)、833cm-1（V3O2）、和840...
http://www.polymer.cn/research/dis_info78

2012年影响胶粘剂行业发展的不利因素分析
关键字：胶粘剂行业，不利因素

http://www.polymer.cn/Industry/industry3498.html

我国纺织业发展趋势的分析
关键字：纺织业；规模化种植；创新能力；现状；发展

http://www.polymer.cn/Industry/industry3495.html

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