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CVD
工艺中气体流型的研究
关键字:化学气相沉积 体材料 稳定性 均匀性 流型
化学气相沉积(
CVD
)法可制备高纯度、近似元件形状、大面积的块体材料,与制备薄膜的
CVD
过程相比,该过程存在长时间沉积稳定性、厚度均匀性及光学质量均匀性等问题。本文采用简化装置对
CVD
工艺过程进行物理模拟,探讨不同工艺参数下沉积室内部气体流型的变化,分析流型对沉积过程的影响。
http://www.polymer.cn/research/dis_info271
负偏压在碳纳米管生长过程中的作用研究
关键字:碳纳米管 负偏压 热丝
CVD
利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统,在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFe的Si衬底上制备得到了碳纳米管。研究发现,负偏压对NiFe层的裂解和碳纳米管的生长都有很大的影响。本文详细分析和讨论了负偏压在碳纳米管生长过程中的作用。
http://www.polymer.cn/research/dis_info248
金刚石膜中氮杂质状态的研究
关键字:EA-
CVD
方法 金刚石膜 氮杂质
用EA-
CVD
(Electron assisted Chemical Vapor Deposition) 方法制备出金刚石膜,并且用拉曼光谱、荧光谱、红外吸收谱和顺磁共振谱研究了金刚石膜中的氮杂质。实验结果表明,用EA-
CVD
方法制备的金刚石膜中氮杂质主要是以Ns0、Ns+、[N—V]0和[N—V]-1的形式存在,没有检测到在天然金刚石和高温高压金刚石中常见的A和B中心形式存在的氮杂质。沉积实验中随着氢气流量的增加,也就是金刚石膜沉积环境中氮...
http://www.polymer.cn/research/dis_info91
Ta2O5 薄膜的结构和电学性能研究
关键字:光诱导热丝
CVD
,Ta2O5 薄膜,电学性能
采用紫外光诱导热丝
CVD
沉积技术制备Ta2O5 薄膜和Al/Ta2O5/Si MOS 电容。利用XRD,AFM测试分析方法研究了紫外光源功率对Ta2O5 薄膜结构的影响;通过C-V 和I-V 测试对Ta2O5 薄膜的介电常数,击穿场强和漏电流等电学性能进行了研究,结果表明:紫外光源的功率越大,Ta2O5 薄膜的结晶性越好,介电常数越大,最大值为29,但紫外光功率对击穿场强和漏电流没有明显改善。
http://www.polymer.cn/research/dis_info7135
石墨微球的制备及化学修饰
关键字:石墨微球,
CVD
,润滑油添加剂
采用化学气相沉积(
CVD
)法以脱油沥青(deoiled asphalt, DOA)为碳源制备出碳微球,对碳微球进行了真空热处理,运用硬脂酸对石墨微球进行表面修饰,并研究了硬脂酸修饰后石墨微球作为润滑油添加剂的分散性和稳定性。采用X 射线衍射(XRD),场发射扫描电镜(SEM),高分辨透射电镜(HRTEM)分析了石墨微球的晶体结构和形貌,结果表明所制备的碳微球纯度很高,粒径均匀(500nm),真空热处理后显著提高了碳微球的石墨化程度,使...
http://www.polymer.cn/research/dis_info6133
CVD
金刚石紫外探测器
关键字:紫外探测器 金刚石膜 辐射硬度
CVD
金刚石紫外探测器有极强的辐射硬度及耐腐蚀性,在宽禁带半导体紫外探测器中占有重要地位。本文主要对金刚石紫外探测器的发展进展、探测机理、电极模式及应用领域做了简要回顾。
http://www.polymer.cn/research/dis_info1059
CVD
工艺中气体流型的研究
关键字:化学气相沉积 体材料 稳定性 均匀性 流型
化学气相沉积(
CVD
)法可制备高纯度、近似元件形状、大面积的块体材料,与制备薄膜的
CVD
过程相比,该过程存在长时间沉积稳定性、厚度均匀性及光学质量均匀性等问题。本文采用简化装置对
CVD
工艺过程进行物理模拟,探讨不同工艺参数下沉积室内部气体流型的变化,分析流型对沉积过程的影响。
http://www.polymer.cn/research/dis_info271
负偏压在碳纳米管生长过程中的作用研究
关键字:碳纳米管 负偏压 热丝
CVD
利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统,在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFe的Si衬底上制备得到了碳纳米管。研究发现,负偏压对NiFe层的裂解和碳纳米管的生长都有很大的影响。本文详细分析和讨论了负偏压在碳纳米管生长过程中的作用。
http://www.polymer.cn/research/dis_info248
金刚石膜中氮杂质状态的研究
关键字:EA-
CVD
方法 金刚石膜 氮杂质
用EA-
CVD
(Electron assisted Chemical Vapor Deposition) 方法制备出金刚石膜,并且用拉曼光谱、荧光谱、红外吸收谱和顺磁共振谱研究了金刚石膜中的氮杂质。实验结果表明,用EA-
CVD
方法制备的金刚石膜中氮杂质主要是以Ns0、Ns+、[N—V]0和[N—V]-1的形式存在,没有检测到在天然金刚石和高温高压金刚石中常见的A和B中心形式存在的氮杂质。沉积实验中随着氢气流量的增加,也就是金刚石膜沉积环境中氮...
http://www.polymer.cn/research/dis_info91
一种基于
CVD
法的纳米碳管微观分析及场致发射特性的研究
关键字:化学气相沉积(
CVD
),纳米碳管,微观分析,场致发射
将化学气相沉积法(
CVD
)制备的纳米碳管提纯后,用透射电镜(TEM)观测了它的微观结构,通过实验对纳米碳管在不同温度下生长的结构特性进行了分析比较,得出了纳米碳管生长的最佳温度为750℃;并对纳米碳管粉体的拉曼(Raman)光谱进行了分析,得到了与透射电镜观测相一致的结论;最后测试了纳米碳管的场致发射特性。
http://www.polymer.cn/research/dis_info7219
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