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CVD金刚石紫外探测器
关键字：紫外探测器 金刚石膜 辐射硬度
CVD金刚石紫外探测器有极强的辐射硬度及耐腐蚀性，在宽禁带半导体紫外探测器中占有重要地位。本文主要对金刚石紫外探测器的发展进展、探测机理、电极模式及应用领域做了简要回顾。
http://www.polymer.cn/research/dis_info1059 |
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InGaAs红外探测器低频噪声研究
关键字：红外探测器 低频噪声 空间遥感
红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一。本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声，测试结果表明器件的Hooge系数αH＝2×10-5~7×10-5，噪声拐点较大。讨论了暗电流与器件低频噪声的关系，比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声，结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声。
http://www.polymer.cn/research/dis_info67 |
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CVD金刚石紫外探测器
关键字：紫外探测器 金刚石膜 辐射硬度
CVD金刚石紫外探测器有极强的辐射硬度及耐腐蚀性，在宽禁带半导体紫外探测器中占有重要地位。本文主要对金刚石紫外探测器的发展进展、探测机理、电极模式及应用领域做了简要回顾。
http://www.polymer.cn/research/dis_info1059 |
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InGaAs红外探测器低频噪声研究
关键字：红外探测器 低频噪声 空间遥感
红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一。本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声，测试结果表明器件的Hooge系数αH＝2×10-5~7×10-5，噪声拐点较大。讨论了暗电流与器件低频噪声的关系，比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声，结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声。
http://www.polymer.cn/research/dis_info67 |
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非制冷红外探测器用BST薄膜的制备与性能研究
关键字：BST薄膜 射频溅射 低温沉积 红外探测器
利用传统陶瓷工艺制备出BST（65/35）倒筒靶，采用射频溅射法沉积薄膜。开展了对Pt/Ti/SiO2/Si基底热处理工艺与BST同质缓冲层研究，总结出了可以确保基底界面性能良好、BST薄膜结构致密的工艺方法。介电性能测试表明：BST薄膜的介电常数约为60~70，介电损耗为1.5%~2.5%，居里温度为284K，介电温度系数（TCD）为0.5%。漏电流测试表明：在1MV/cm电场下，漏电流密度为1.9×10-6A/cm2。
http://www.polymer.cn/research/ct_info273 |
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二氧化钛纳米管/三芳胺衍生物复合紫外探测器
关键字：氧化,纳米,芳胺,衍生物,复合,紫外,探测器,
迄今为止，半导体紫外探测器已经在众多领域得到应用。如天文学/空间物理，化学/生物传感器，烟雾和火焰探测，环境监控，以及用作医疗设备。
http://www.polymer.cn/research/dis_info4456 |
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非制冷红外探测器用BST薄膜的制备与性能研究
关键字：BST薄膜 射频溅射 低温沉积 红外探测器
利用传统陶瓷工艺制备出BST（65/35）倒筒靶，采用射频溅射法沉积薄膜。开展了对Pt/Ti/SiO2/Si基底热处理工艺与BST同质缓冲层研究，总结出了可以确保基底界面性能良好、BST薄膜结构致密的工艺方法。介电性能测试表明：BST薄膜的介电常数约为60~70，介电损耗为1.5%~2.5%，居里温度为284K，介电温度系数（TCD）为0.5%。漏电流测试表明：在1MV/cm电场下，漏电流密度为1.9×10-6A/cm2。
http://www.polymer.cn/research/dis_info724 |
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非制冷红外探测器用BST薄膜的制备与性能研究
关键字：BST薄膜 射频溅射 低温沉积 红外探测器
利用传统陶瓷工艺制备出BST（65/35）倒筒靶，采用射频溅射法沉积薄膜。开展了对Pt/Ti/SiO2/Si基底热处理工艺与BST同质缓冲层研究，总结出了可以确保基底界面性能良好、BST薄膜结构致密的工艺方法。介电性能测试表明：BST薄膜的介电常数约为60~70，介电损耗为1.5%~2.5%，居里温度为284K，介电温度系数（TCD）为0.5%。漏电流测试表明：在1MV/cm电场下，漏电流密度为1.9×10-6A/cm2。
http://www.polymer.cn/research/ct_info273 |
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二氧化钛纳米管/三芳胺衍生物复合紫外探测器
关键字：氧化,纳米,芳胺,衍生物,复合,紫外,探测器,
迄今为止，半导体紫外探测器已经在众多领域得到应用。如天文学/空间物理，化学/生物传感器，烟雾和火焰探测，环境监控，以及用作医疗设备。
http://www.polymer.cn/research/dis_info4456 |
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非制冷红外探测器用BST薄膜的制备与性能研究
关键字：BST薄膜 射频溅射 低温沉积 红外探测器
利用传统陶瓷工艺制备出BST（65/35）倒筒靶，采用射频溅射法沉积薄膜。开展了对Pt/Ti/SiO2/Si基底热处理工艺与BST同质缓冲层研究，总结出了可以确保基底界面性能良好、BST薄膜结构致密的工艺方法。介电性能测试表明：BST薄膜的介电常数约为60~70，介电损耗为1.5%~2.5%，居里温度为284K，介电温度系数（TCD）为0.5%。漏电流测试表明：在1MV/cm电场下，漏电流密度为1.9×10-6A/cm2。
http://www.polymer.cn/research/dis_info724 |
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