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危险液体 探测 地铁 扫描
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微量热法研究亚浓溶液中聚(N-异丙基丙烯酰胺)链的聚集行为
关键字:聚(N-异丙基丙烯酰胺),亚浓溶液,链内塌缩,微量差示
扫描
量热仪
高分子溶液的热力学和动力学性质对研究其性质与结构的关系非常重要。由于实验表征和理论研究的局限性,目前的研究主要集中在稀溶液中的高分子链的行为,而对亚浓溶液和浓溶液中高分子链的热力学和动力学过程的研究则不多见。
http://www.polymer.cn/research/dis_info4939
聚(N-异丙基甲基丙烯酰胺)相转变行为的研究
关键字:超灵敏差示
扫描
量热仪,相转变,聚(N-异丙基甲基丙烯酰胺)
环境敏感聚合物能够对外界环境的微小刺激, 如温度、pH值、离子强度、电磁场等做出响应,在药物控制释放、化学分离、固定化酶等方面具有广泛的应用前景。其中,聚(N-异丙基丙烯酰胺)(PNIPAM)是目前研究最多的一类具有温度敏感性的聚合物, 其在水溶液中的最低临界溶液温度(LCST)约为32 ºC,且其相转变温度可以通过与亲水或疏水单体的共聚而改变。目前大部分的观点认为,产生相转变的驱动力是高分子链中...
http://www.polymer.cn/research/dis_info4813
聚合物纳米胶束的无损伤显像功能化的初步研究
关键字:聚合物纳米胶束 放射性标记 无损伤显像 单光子发射断层
扫描
近年来,以聚合物胶束为载体的疏水性抗肿瘤药物的传输研究已经取得了一些重大的进展,主要体现在药物的高效负载、高度靶向传输以及职能控制释放等方面。
http://www.polymer.cn/research/dis_info2498
用DSC法测定非线性光学晶体ABP、APDA和BMC的恒压比热容
关键字:ABP晶体 APDA晶体 BMC晶体 差示
扫描
量热法 比热容
用差示
扫描
量热法测定了有机非线性光学晶体ABP、APDA和BMC的恒压比热容,并通过实验数据的拟合,分别得到了这些晶体的恒压比热容与温度间的数学关系式。
http://www.polymer.cn/research/dis_info1057
铁电薄膜纳米尺度畴分布及其生长机制
关键字:ZT薄膜
扫描
力显微镜(SFM) 压电响应模式 铁电畴 形核和生长模型
用溶胶—凝胶的方法制得(111)取向的PZT铁电薄膜,并喷涂于Pt(111)/Ti/SiO2/Si 衬底上。用
扫描
力显微镜(SFM)的压电响应模式纳米级分辨率地观察到了几乎等间距或中间间距大于两侧的条状畴结构。这主要与晶粒和衬底间的应力应变有关。从这畴结构我们提出铁电畴形核和生长速率模型。其基本过程如下: (1) 由于薄膜和底电极间周期性的结构和成分起伏,致使畴结构在此相连处形核。(2) 铁电畴横向生长至相临畴相遇...
http://www.polymer.cn/research/dis_info709
胶料不同低温性能测试方法结果比较
关键字:脆性温度(单试样法);脆性温度(多试样法);动态热机械性能分析(DMTA);压缩耐寒系数;差示
扫描
量
http://www.polymer.cn/Industry/industry2181.html
聚丙烯腈碳纤维凝胶纺凝固成型机理研究
关键字:聚丙烯腈 碳纤维 凝胶纺 添加剂 凝固成型
扫描
电镜 溶解速度
http://www.polymer.cn/Industry/industry2096.html
非制冷红外
探测
器用BST薄膜的制备与性能研究
关键字:BST薄膜 射频溅射 低温沉积 红外
探测
器
利用传统陶瓷工艺制备出BST(65/35)倒筒靶,采用射频溅射法沉积薄膜。开展了对Pt/Ti/SiO2/Si基底热处理工艺与BST同质缓冲层研究,总结出了可以确保基底界面性能良好、BST薄膜结构致密的工艺方法。介电性能测试表明:BST薄膜的介电常数约为60~70,介电损耗为1.5%~2.5%,居里温度为284K,介电温度系数(TCD)为0.5%。漏电流测试表明:在1MV/cm电场下,漏电流密度为1.9×10-6A/cm2。
http://www.polymer.cn/research/ct_info273
二氧化钛纳米管/三芳胺衍生物复合紫外
探测
器
关键字:氧化,纳米,芳胺,衍生物,复合,紫外,
探测
器,
迄今为止,半导体紫外
探测
器已经在众多领域得到应用。如天文学/空间物理,化学/生物传感器,烟雾和火焰
探测
,环境监控,以及用作医疗设备。
http://www.polymer.cn/research/dis_info4456
非制冷红外
探测
器用BST薄膜的制备与性能研究
关键字:BST薄膜 射频溅射 低温沉积 红外
探测
器
利用传统陶瓷工艺制备出BST(65/35)倒筒靶,采用射频溅射法沉积薄膜。开展了对Pt/Ti/SiO2/Si基底热处理工艺与BST同质缓冲层研究,总结出了可以确保基底界面性能良好、BST薄膜结构致密的工艺方法。介电性能测试表明:BST薄膜的介电常数约为60~70,介电损耗为1.5%~2.5%,居里温度为284K,介电温度系数(TCD)为0.5%。漏电流测试表明:在1MV/cm电场下,漏电流密度为1.9×10-6A/cm2。
http://www.polymer.cn/research/dis_info724
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