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非制冷红外探测器用BST薄膜的制备与性能研究
关键字：BST薄膜 射频溅射 低温沉积 红外探测器
利用传统陶瓷工艺制备出BST（65/35）倒筒靶，采用射频溅射法沉积薄膜。开展了对Pt/Ti/SiO2/Si基底热处理工艺与BST同质缓冲层研究，总结出了可以确保基底界面性能良好、BST薄膜结构致密的工艺方法。介电性能测试表明：BST薄膜的介电常数约为60~70，介电损耗为1.5%~2.5%，居里温度为284K，介电温度系数（TCD）为0.5%。漏电流测试表明：在1MV/cm电场下，漏电流密度为1.9×10-6A/cm2。
http://www.polymer.cn/research/ct_info273 |
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二氧化钛纳米管/三芳胺衍生物复合紫外探测器
关键字：氧化,纳米,芳胺,衍生物,复合,紫外,探测器,
迄今为止，半导体紫外探测器已经在众多领域得到应用。如天文学/空间物理，化学/生物传感器，烟雾和火焰探测，环境监控，以及用作医疗设备。
http://www.polymer.cn/research/dis_info4456 |
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非制冷红外探测器用BST薄膜的制备与性能研究
关键字：BST薄膜 射频溅射 低温沉积 红外探测器
利用传统陶瓷工艺制备出BST（65/35）倒筒靶，采用射频溅射法沉积薄膜。开展了对Pt/Ti/SiO2/Si基底热处理工艺与BST同质缓冲层研究，总结出了可以确保基底界面性能良好、BST薄膜结构致密的工艺方法。介电性能测试表明：BST薄膜的介电常数约为60~70，介电损耗为1.5%~2.5%，居里温度为284K，介电温度系数（TCD）为0.5%。漏电流测试表明：在1MV/cm电场下，漏电流密度为1.9×10-6A/cm2。
http://www.polymer.cn/research/dis_info724 |
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“紫外·可见·近红外”全光谱响应聚合物光电探测器
通过Suzuki偶联反应，合成了基于噻吩一吡咯一噻吩(TPT)为电子给体，二氮杂并环戊二烯(DAP)为电子受体的D-A型窄带隙共轭聚合物PTPTDAP[l]，并以该聚合物与C60。衍生物PC61，BM以1:2的比例共混作为活性层，制备了器件结构为ITO/PEDOT: PSS( 30 nm)／活性层(AC，100 nm)/Al(IOO nm)的光电探测器件。在此基础上，采用多种分析测试手段对所制备的聚合物及探测器件的性能进行了研究。&...
http://www.polymer.cn/research/sy_info15561 |
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“紫外·可见·近红外”全光谱响应聚合物光电探测器
通过Suzuki偶联反应，合成了基于噻吩一吡咯一噻吩(TPT)为电子给体，二氮杂并环戊二烯(DAP)为电子受体的D-A型窄带隙共轭聚合物PTPTDAP[l]，并以该聚合物与C60。衍生物PC61，BM以1:2的比例共混作为活性层，制备了器件结构为ITO/PEDOT: PSS( 30 nm)／活性层(AC，100 nm)/Al(IOO nm)的光电探测器件。在此基础上，采用多种分析测试手段对所制备的聚合物及探测器件的性能进行了研究。&...
http://www.polymer.cn/research/dis_info17505 |
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“紫外·可见·近红外”全光谱响应聚合物光电探测器
通过Suzuki偶联反应，合成了基于噻吩一吡咯一噻吩(TPT)为电子给体，二氮杂并环戊二烯(DAP)为电子受体的D-A型窄带隙共轭聚合物PTPTDAP[l]，并以该聚合物与C60。衍生物PC61，BM以1:2的比例共混作为活性层，制备了器件结构为ITO/PEDOT: PSS( 30 nm)／活性层(AC，100 nm)/Al(IOO nm)的光电探测器件。在此基础上，采用多种分析测试手段对所制备的聚合物及探测器件的性能进行了研究。&...
http://www.polymer.cn/research/sy_info15561 |
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“紫外·可见·近红外”全光谱响应聚合物光电探测器
通过Suzuki偶联反应，合成了基于噻吩一吡咯一噻吩(TPT)为电子给体，二氮杂并环戊二烯(DAP)为电子受体的D-A型窄带隙共轭聚合物PTPTDAP[l]，并以该聚合物与C60。衍生物PC61，BM以1:2的比例共混作为活性层，制备了器件结构为ITO/PEDOT: PSS( 30 nm)／活性层(AC，100 nm)/Al(IOO nm)的光电探测器件。在此基础上，采用多种分析测试手段对所制备的聚合物及探测器件的性能进行了研究。&...
http://www.polymer.cn/research/dis_info17505 |
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2009年第8届国际共轭高分子与有机纳米结构光探测大会（6.6-6.10，北京)
http://www.polymer.cn/research/dis_list/33 |
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新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究
关键字：碲铟汞,晶体生长,垂直布里奇曼法,光电半导体材料,近红外探测器
研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中远红外波段透过性能较好（＞50%），并且随着波长的增大，透过增强。MIT晶体为n型半导体，室温电阻率为4.79×102Ω·cm，载流子迁移率为4.6×102cm2·V-1·s-1，载流子浓度为2.83...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7253 |
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新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究
关键字：碲铟汞,晶体生长,垂直布里奇曼法,光电半导体材料,近红外探测器
研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中远红外波段透过性能较好（＞50%），并且随着波长的增大，透过增强。MIT晶体为n型半导体，室温电阻率为4.79×102Ω·cm，载流子迁移率为4.6×102cm2·V-1·s-1，载流子浓度为2.83...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7253 |
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