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新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究
关键字：碲铟汞,晶体生长,垂直布里奇曼法,光电半导体材料,近红外探测器
研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中远红外波段透过性能较好（＞50%），并且随着波长的增大，透过增强。MIT晶体为n型半导体，室温电阻率为4.79×102Ω·cm，载流子迁移率为4.6×102cm2·V-1·s-1，载流子浓度为2.83...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7253 |
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新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究
关键字：碲铟汞,晶体生长,垂直布里奇曼法,光电半导体材料,近红外探测器
研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中远红外波段透过性能较好（＞50%），并且随着波长的增大，透过增强。MIT晶体为n型半导体，室温电阻率为4.79×102Ω·cm，载流子迁移率为4.6×102cm2·V-1·s-1，载流子浓度为2.83...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7253 |
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