远程温度测量室温,中国聚合物网

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点击反应合成吐昔烯-苯并菲盘状液晶齐聚物
关键字：点击反应；吐昔烯；苯并菲；室温液晶；柱状相
“点击反应”因具有产率高、反应条件温和、多种官能团耐受性等优点, 被广泛应用于生物、材料、药物化学等领域。而将点击反应应用于制备新型的盘状液晶功能材料少见报道。本工作通过铜盐催化端基炔吐昔烯和端基叠氮苯并菲的点击反应合成目标产物，通过改变吐昔烯外围柔链长度和间隔基的刚性探究其介晶性能的变化。
http://www.polymer.cn/research/dis_info16216

羟基封端液体氟硅橡胶结构-性能关系的研究
关键字：羟基封端液体氟硅橡胶，室温硫化，性能
液体氟硅橡胶通常是指低分子量氟硅聚合物。由于在室温条件下即可硫化，通常可以作为密封材料使用。
http://www.polymer.cn/research/dis_info14583

室温磁制冷材料La(Fe0.94Co0.06)11.7Si1.3 在去离子水中腐蚀行为的研究
关键字：磁致冷材料,腐蚀速率,腐蚀产物
针对La(Fe0.94Co0.06)11.7Si1.3 磁制冷材料在去离子水中的腐蚀行为进行了研究，结果表明，腐蚀速率随时间的变化而变化，开始时腐蚀速率较快，随着时间的延长，腐蚀速率逐渐变慢。XPS 能谱分析表明，腐蚀产物主要由γ-Fe2O3、Co(OH)2 及H2SiO3 组成，产物形态较为疏松，不足以对基体形成有效保护。腐蚀产物中没有发现La 的信息，其具体原因有待在后续工作中进一步深入探讨。
http://www.polymer.cn/research/dis_info6980

气相沉积法制备Co 掺杂ZnO 纳米线的磁学性能研究
关键字：气相沉积,zn1- xcoxo,室温铁磁性
研究了气相沉积方法制备的Co 掺杂ZnO 纳米线的结构及其磁学性能。结果表明，Co 离子代替Zn离子的位置进入ZnO 晶格，样品的磁性能对实验条件的依赖性比较大，通入适量空气的条件下制备的样品具有室温铁磁性。
http://www.polymer.cn/research/dis_info6405

离子液体[Bmim]BF4 中氧化铟的制备研究
关键字：室温离子液体, 氧化铟, 制备, 差热分析
室温离子液体作为一种新型的性能优异的绿色环保有机溶剂，在无机材料合成中的应用引起关注。采用微波辅助法和固相研磨法在离子液体[BMIM]BF4中制备氧化铟，通过差热分析确定了微波法制备的前驱体组成为In6O10(OH)4，研究了不同制备方法对得到的氧化铟Zeta 电位的影响。
http://www.polymer.cn/research/dis_info6081

三维规整排列聚吡咯空心球的制备及其电性能研究
关键字：聚吡咯，三维规整排列，室温电导率
导电高聚物是由具有共扼π-键的高聚物经化学或电化学“掺杂”使其由绝缘体转变为导体的一类高分子材料，其导电机制一般认为是掺杂导电高聚物的载流子是孤子、极化子和双极化子等[1]。其中具有共轭双键的导电高分子聚吡咯(PPy)，由于其合成简便，抗氧化性能良好，与其它导电高分子相比电导率较高、易成膜、柔软等优点而日益受到人们的关注。近年来，三维规整微孔材料因为其在催化剂、膜分离和离子交换树脂中的应用而引起了人们的广...
http://www.polymer.cn/research/dis_info4428

耐超耐温聚硅氧烷密封剂的固化特性及性能的研究
关键字：侧甲氧基聚硅氧烷，高性能有机硅，室温固化
本文报导了由侧活性聚硅氧烷（SRPS）制备的密封剂的室温湿固化特性、耐高温特性。通过固化物热失重分析表明，在760℃高温下材料质量损失为10%。固化物的动态力学性能表明，固化物的实模量E’和耗能因子tanδ都高于一般有机硅材料。将SRPS 与端羟基聚硅氧烷以不同比例混合在室温下湿固化，对混合固化物进行了动态力学性能测试和力学性能测试，结果表明混合固化物的密度随SRPS 含量的提高而增大，在固化物中由SRPS 形...
http://www.polymer.cn/research/dis_info2862

纤维素在1-烯丙基，3-甲基咪唑氯代室温离子液中的溶解与再生
关键字：纤维素离子液体溶解再生
纤维素是自然界中产量最大，也是人类比较早认识与开发的天然高分子之一。天然纤维素结晶度很高而且存在大量的分子内和分子间氢键，使其很难被一般溶剂所溶解。传统的再生纤维素加工工艺复杂，对环境污染十分严重。
http://www.polymer.cn/research/dis_info2243

几种磁制冷材料的室温磁热效应
关键字：磁制冷材料磁热效应磁熵变直接测量
用高频悬浮炉（冷坩埚）熔炼了Gd5Si2Ge2、Gd4Sb1.5Bi1.5、Gd3Al2、Mn5Ge3等金属化合物。在磁场 H=1.3T下，用XHY磁热效应测量仪直接测量它们的绝热温变△Tad，得到了这几种材料的居里点，并和金属Gd进行了比较。
http://www.polymer.cn/research/dis_info1038

离子束沉积技术室温生长Si/Ge薄膜的晶化研究
关键字：Si/Ge多层膜离子束外延 XRD Raman散射
研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的。本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构，对样品进行X射线和拉曼散射实验表征。研究表明：Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化，当Ge厚度略小于Si薄层厚时，获得最佳的Si室温晶化效果。
http://www.polymer.cn/research/dis_info925

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