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掺杂对白光LED 用YAG:Ce 荧光粉发光性能的研究
关键字：白光LED,YAG 荧光粉,发射光谱,发光亮度
采用高温固相法合成了YAG:Ce 荧光粉，研究了掺杂元素对YAG 荧光粉发光性能的影响。研究表明：YAG:Ce 荧光粉亮度随着Ce 含量增加先上升后下降。Sm 的掺杂对荧光粉发射光谱峰位无影响，而发光亮度却明显下降。随着Gd 掺入量的提高，YAG 荧光粉的发射光谱发生红移，发光亮度有所下降。YAG:Ce 荧光粉的发射光谱，随着Lu 掺入量的提高，发射光谱发生蓝移，发光亮度略有下降。在YAG:Ce&nbs...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7343 |
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InP薄膜内包层光纤放大性的理论计算
关键字：掺杂光纤,量子尺寸效应,光放大
将纳米技术和光纤技术相结合，对研制出的纳米级InP薄膜内包层光纤进行光放大性能的测试，测试结果表明该光纤在很短的长度上具有比较好的放大性能，单位长度放大系数在906～1044nm的波段上为1.40～5.12dB/m，在1080～1491nm的波段上为1.40～15.35dB/m，在1524～1596nm的波段上为1.86～7.44dB/m。根据氢原子模型计算了InP微粒产生量子尺寸效应的相对粒径aB＝8.313nm，以及纳米级InP微粒的粒径与能级改变的关系得到，当厚度d＝16nm，...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7266 |
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Fe0.875Mn0.125Si2的几何结构与电子结构的第一性原理研究
关键字：第一性原理,掺杂β-FeSi2,几何结构,电子结构
采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法，对掺Mn的β-FeSi2的几何结构和电子结构进行了计算。计算表明：(1)杂质的掺入改变了晶胞体积及原子位置，掺杂是调制材料电子结构的有效方式；(2)在β-FeSi2中掺入杂质时掺杂原子的置换位置具有择位性，Mn掺杂时倾向于置换FeI位的Fe原子；(3)能带结构计算表明：掺Mn使得β-FeSi2的费米面向价带移动，形成了p型半导体。
http://www.polymer.cn/research/dis_info7258 |
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烧结条件对La、Mn 掺杂BaTiO3 基PTCR 材料性能的影响
关键字：BaTiO3,PTC 特性,烧结温度,保温时间
采用低温固态反应合成了La、Mn 掺杂纳米钛酸钡基固溶体粉体，研究了各种烧结条件对其PTC材料性能的影响。实验表明，随着烧结温度的升高，材料的室温电阻先减后增，而升阻比基本呈先增后减的变化规律。随着保温时间的增长，材料的室温电阻也呈现先减后增的规律，且电阻温度系数逐渐增大。当烧结温度为1330℃，保温时间为30min 时，制得了室温电阻率为72.97Ω·cm， 升阻比和电阻温度系数分别为5.55×104&nbs...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7225 |
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铈和镧掺杂对(Bi1/2Na1/2)0.94 Ba0.06TiO3 压电陶瓷性能的影响
关键字：压电陶瓷,无铅,钙钛矿结构,压电性能
采用传统陶瓷制备方法，制备出La2O3 和CeO2掺杂的(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06TiO3 无铅压电陶瓷，研究了微量稀土元素La，Ce 对(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06TiO3 无铅压电陶瓷微观结构、介电与压电性能的影响。XRD 分析表明，La2O3 和CeO2 的掺杂量在0.1%～0.8%(质量分数)范围内都能形成纯钙钛矿（ABO3）型固溶体。测试了不同组成陶瓷的介电、压电性能，陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示La2O3 掺杂...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7116 |
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铌掺杂Ba(ZrxTi1-x)O3 弛豫铁电陶瓷介电性质的研究
关键字：弛豫铁电体,电容器陶瓷,ba(zrxti1- x)o3,介电常数
采用传统的固相反应法制备了Ba(Zr0.25Ti0.75)O3＋xat%Nb2O5（x＝0，0.05，0.1，0.15）弛豫铁电陶瓷，研究了Nb2O5 加入量对Ba(Zr,Ti)O3（BZT）基电容器陶瓷性能的影响，得到了Nb2O5 影响其性能的规律。结果表明：当x＝0.15 时介电常数最大，当x＝0.10 时介电损耗最小；适量Nb2O5能使材料的介温曲线更加平缓，移峰作用明显.
http://www.polymer.cn/research/dis_info7092 |
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溶胶-凝胶法制备ZnO:Al 导电薄膜的研究
关键字：溶胶-凝胶法,zno,a13+离子掺杂,透明导电薄膜
采用溶胶-凝胶工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向的ZnO:Al 透明导电薄膜。利用扫描电镜(SEM)、X 射线衍射仪(XRD)等分析手段对薄膜进行了表征。通过标准四探针法及紫外分光光度计(UVS)透射光谱研究了ZnO:Al 薄膜的电学与光学性能。实验发现：当Al3+离子掺杂浓度为2%(原子分数)，前处理温度为220℃、退火温度为580℃时，薄膜具有较好的导电性，电阻率为1.76×10-3Ω·cm，其在可见光的平均透射率在80%左右...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7079 |
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Ho 对La0.7Sr0.3MnO3 庞磁阻材料微观结构的影响
关键字：掺杂,微观结构,正交点阵,点阵参数,晶粒尺寸
运用X射线衍射和透射电子显微分析等方法，探讨了稀土掺杂元素Ho对La0.7Sr0.3MnO3庞磁阻材料微观结构的影响。对于La0.7-xHoxSr0.3MnO3庞磁阻材料，Ho含量较低时（x＝0.2），材料主要由典型的菱面体钙钛矿相（La0.7Sr0.3MnO3）和六角非钙钛矿相（HoMnO3）组成，还伴随有少量钙钛矿型正交点阵结构出现。当Ho掺杂量较高时（x＝0.6），菱面体体积分数明显降低，而六角相显著增多。另外，稀土Ho的增多引起了菱面体单胞点阵参数（a和c）的...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7000 |
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稀土掺杂锰氧化物的电致电阻效应
关键字：电致电阻效应,自旋极化,界面电阻,钙钛矿结构锰氧化物
用固相烧结法制备Nd0.67Sr0.33MnOy(y＝2.85)多晶样品。样品输运性质表现出自旋相关电致电阻特征。对含量低于化学计量y＝3.0 样品，当温度高于某一特征温度时，电阻变化符合线性欧姆定律；但低于这一特征温度时，电阻大小与负载电流或电压有关，I-V曲线偏离线性规律；在绝缘体-导体相转变点附近，样品电阻随负载电流或电压增大而迅速减小，表现出巨大电致电阻效应。这种自旋相关的电致电阻行为与氧含量和界面有很大关系。
http://www.polymer.cn/research/dis_info6999 |
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Tb0.5Dy0.5(Fe1-xMnx)1.91(x=0～0.15)合金的温度性能研究
关键字：tb0.5dy0.5(fe1-xmnx)1.91 合金,掺杂,热处理,超磁致伸缩,居里温度
研究了Mn 元素掺杂及热处理工艺对超磁致伸缩材料Tb0.5Dy0.5 (Fe1-xMnx)1.91(x＝0～0.15)合金温度性能的影响，实验结果表明Mn 掺杂对该材料居里温度影响较大，随Mn 掺杂量的增加居里温度降低；在无预压应力时，Mn 掺杂提高了合金的低温、低场磁致伸缩应变性能；热处理工艺对进一步提高磁致伸缩性能无明显作用。
http://www.polymer.cn/research/dis_info6993 |
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