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高 N/S 掺杂
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Gd2O3
掺杂
CeO2-δ固体电解质的电化学性能研究
关键字:
掺杂
CeO2-δ 电导率 固体电解质 交流阻抗谱
利用交流阻抗技术(EIS)测试了Gd2O3
掺杂
CeO2-δ固体电解质的电导率。当测试温度低于695℃时,阻抗谱由2个变形的半圆弧组成;而
高
温时仅有1个变形的半圆弧。固体电解质的晶格电导率、晶界电导率和总电导率与测试温度的关系服从Arrhenius公式。材料的电导率随成型压力的增大先增大,然后减小。随烧结温度的升
高
,材料电导率是升
高
的。
http://www.polymer.cn/research/ct_info331
Mg2Si与
掺杂
系列的电子结构与热电性能研究
关键字:硅化镁
掺杂
电子结构 热电性能
用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)计算了Mg2Si与掺Sb,Te和Ag系列,讨论了电子结构与热电性能之间的关系。
掺杂
使得离子键和共价键强度降低,在费米能级附近的能隙变小,从而提
高
材料电导率,降低材料热导率,优化了材料的热电性能。以上结论与实验结果一致。
http://www.polymer.cn/research/ct_info304
锌
掺杂
对In2O3电导和气敏性能的影响
关键字:Zn2+
掺杂
In1.95Zn0.05O3固溶体 电导 酒精敏传感器
用化学共沉淀法制备了Zn2+
掺杂
的In2O3微粉,研究了Zn2+对In2O3电导和气敏性能的影响。结果表明:ZnO与In2O3间可形成有限固溶体In2-xZnxO3(0≤x≤0.10);ZnIn× 缺陷电离的空穴对导带电子的湮灭,使固溶体电导变得很小;In1.95Zn0.05O3元件在223℃工作温度下对C2H5OH有很
高
灵敏度和良好的选择性,有望开发为一类新型酒精敏感材料。
http://www.polymer.cn/research/ct_info296
铅
掺杂
对BST铁电薄膜性能的影响
关键字:铅
掺杂
BST铁电薄膜 结晶性能 铁电弛豫和弥散相变
为了改善BST铁电薄膜的结晶性能,降低薄膜材料的铁电弛豫和弥散相变特性,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同铅
掺杂
的BST薄膜(PBST)。研究了PBST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能。XRD、AFM分析表明,铅对(101、110)峰的生长促进作用最大,掺入5mol% Pb以上的PBST薄膜的结晶状况得到了明显改善;铅的引入使晶粒增大,降低了薄膜的频率色散现象,相变温区有不同程度紧缩;薄膜的介电...
http://www.polymer.cn/research/ct_info285
掺杂
对还原气氛烧成BTZ陶瓷结构及介电性能影响的研究
关键字:BTZ
掺杂
介温曲线 介电常数
研究了V2O5与Y2O3共
掺杂
对BaTi0.85Zr0.15O3 (BTZ)陶瓷结构和性能的影响。发现适量的V2O5
掺杂
与Y2O3共同作用,在保证较
高
常温介电常数的情况下,使材料的介温曲线更加平缓,移峰作用明显。通过控制二者的含量,可以在1280℃烧出结构致密、介电性能和绝缘性能良好的陶瓷材料。Y2O3能够促进材料烧结,提
高
材料的烧成收缩。在还原气氛烧成的条件下,部分V5+可以进入钛酸钡晶格,起到受主
掺杂
的功效,中和材料中的自由电子,增加V2...
http://www.polymer.cn/research/ct_info256
单组元钛
掺杂
石墨的导电性能及微观结构的研究
关键字:电阻率
掺杂
石墨 微观结构
用煅烧石油焦作填料、煤焦油沥青作粘结剂、钛粉作催化剂,采用热压工艺在2600℃左右、8~10MPa条件下热压成型,制备出一系列不同质量配比的单组元钛
掺杂
石墨。考察了钛组元的质量配比对单组元钛
掺杂
石墨的导电、力学性能的影响以及微观结构的变化。实验结果表明,与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较,催化剂钛不仅可以降低
掺杂
石墨材料的电阻率,而且可以提
高
材料的力学性能。室温下材料的层面方向上,单组元钛
掺杂
石墨DT-15...
http://www.polymer.cn/research/ct_info255
TiO2, MoO3, PEO
掺杂
的四元钨酸溶胶的稳定性研究
关键字:溶胶 四元
掺杂
稳定性 粘度
首次制备了TiO2, PEO, MoO3
掺杂
的四元钨酸溶胶,用旋转粘度计研究了不同配方
掺杂
的钨酸溶胶稳定性,筛选出了最佳配方,该配方制备的四元
掺杂
的钨酸溶胶在室温下可以稳定保存两个月以上。由该配方钨酸溶胶制的WO3电致变色薄膜材料的成膜均匀,性能优良。
http://www.polymer.cn/research/ct_info248
Ce
掺杂
钛基二氧化锡电极的制备及电催化性能研究
关键字:二氧化锡 电极 铈
掺杂
苯酚
采用
高
温热氧化法制备了稀土Ce
掺杂
SnO2/Sb电极,以SEM、EDX、 XRD以及XPS等分析方法对所制备电极进行了形貌、组成及结构的表征,并根据Scherrer公式计算了电极表面SnO2的平均晶粒尺寸。结果显示,所制备电极涂层由纳米级的微晶SnO2构成,Ce的
掺杂
使Sb向电极表面富集,同时Ce本身也有向电极表面富集的趋势;Ce的
掺杂
影响了SnO2晶粒的成核过程,可能减少了晶格中的氧缺位。对苯酚的电化学氧化降解实验研究表明,Ce的
掺杂
降低了S...
http://www.polymer.cn/research/ct_info196
聚苯胺
掺杂
机制的第一性原理分析
关键字:聚苯胺,
掺杂
,共轭,自然键轨道电荷
聚苯胺通过质子酸
掺杂
后导电性明显提
高
,本文采用 B3LYP (PCM)/6-31G+(d,p)方法对聚苯胺
掺杂
过程进行模拟计算。主要对
掺杂
过程产生的双极化子、极化子构型进行结构优化,在优化的基础上进行了自然键轨道电荷分析,并分别对各构型的单重态和三重态能量进行了分析比较。结果表明,双极化子中醌环结构向苯环结构转变,链中各碳六环结构变得相近,电子均匀的离域在整个链上,相邻两环间的二面角减小,各环趋于共面,共轭性增...
http://www.polymer.cn/research/dis_info18059
PEG包覆水溶性Mn2+
掺杂
ZnS纳米晶的合成及表征
关键字:水溶性,ZnS纳米晶,
掺杂
,聚乙二醇
由于半导体纳米粒子(也称半导体量子点,Quantum dot,简称QD)具有独特的光学和电学性质,其在生物学和医学等研究中的潜在应用价值已引起了广大科学工作者的极大关注。
http://www.polymer.cn/research/dis_info15090
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