构建异质结是改善半导体光催化剂催化活性的有效手段，两组分间大接触面多相界面的形成对于促进光生载流子分离与传导具有重要作用。本研究针对硫化锑（Sb₂S₃）半导体纳米棒（NRs）大尺寸结构光生电子-空穴对易重组而影响光催化活性的问题，开发了一种阳离子置换策略，无需引入硫源，基于Sb-S键与Cd-S键键能差异，于高温高压条件下在Sb₂S₃ NRs表面实现了Sb-S键断裂和Cd-S键形成，构建了具有大接触面的Sb₂S₃@CdS核壳纳米棒光催化剂。由于Sb-S-Cd键合作用和范德华力作用显著增强了Sb₂S₃/CdS多相界面在整个Sb₂S₃ NRs表面的稳定性和协同性，极大地促进了自Sb₂S₃（核）向CdS（壳）的电子转移，使Sb₂S₃@CdS催化剂表现出高度增强的模拟日光驱Cr(VI)还原和络合态Cr(III)的破络能力，实现了有效的实际含铬废水处理。本研究很好地解决了在处理含铬废水中难以同步还原Cr(VI)并对络合态Cr(III)进行破络处理的技术难题。