相关链接
联系方式
  • 通信地址:广东省东莞市大朗镇中子源路1号A1-424#
  • 邮编:523000
  • 电话:0769-89156445
  • 传真:0769-69256441
  • Email:chenghe@ihep.ac.cn
当前位置:> 首页 > 论文著作 > 正文
小角中子散射技术及其在大分子结构表征中的应用
作者:左太森; 马长利; 韩泽华; 李雨晴; 李明涛; 程贺;*
关键字:小角中子散射,高分子
论文来源:期刊
具体来源:高分子学报 10.11777/j.issn1000- 3304.2020.20242
发表时间:2020年

小角中 子散射 SANS 是一种表征 从 纳米到微米 尺寸 物质 特征结构的 有力 工具 配合 中子 的 强穿透性和同位素辨识 等 特性 在软物质大分子 结构表征 方面发挥着独特的作用 。 虽然 SANS 的基本原理与 小角激光光散射 和 小角X 射线 几乎完全相 同 ,但是 SANS 谱仪 受限于中子源流强 只能建在大型中子源,所以 在 我国发展很晚,缺乏用户基础。随着 中国 散裂中子源( CSNS )在 2018 年正式对外接受机时申请,国内 SANS 用户群逐年扩大。大分子是 SANS 的主要研究领域,为进一步发展用户, 我们 综述 了 SANS 技术及其应用。 本文 首先 简要 介绍小角中子散射 技术 的基本原理 、 谱仪结构 和 实验 技巧 ,然后紧扣 小角谱仪的特点和 和方法学方面的最新进展, 介绍小角中子散射 在 大分子溶液、大分子共混物和复合材料、 高 分子结晶、凝胶、多孔材料、生物大分子 等 研究领域 的 结构表征 方面 的 典型应用 。