用PLD方法制备的具有正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料-薛庆忠

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用PLD方法制备的具有正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料

发明/申请人：清华大学
专利号/申请号：CN1412572
授权/申请日期：2003-4-23