用PLD法制备具有室温正巨磁阻效应的镍碳薄膜材料-薛庆忠

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用PLD法制备具有室温正巨磁阻效应的镍碳薄膜材料

发明/申请人：章晓中;薛庆忠;田鹏清华大学
专利号/申请号：CN1487115
授权/申请日期：2004-4-7