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在多结构高分子表面制备ZnO阵列的方法
发明/申请人:王磊;郑咏梅
专利号/申请号:ZL201310310268
授权/申请日期:2015-4-15
本发明公开了一种在多结构高分子表面制备ZnO阵列的方法,属于界面化学领域。所述方法包括缓冲材料的制备,基底材料表面的修饰以及二者结合后ZnO阵列的生长的步骤。本发明解决了ZnO和高分子表面的结合问题,实现了良好的实验重复性;解决了高分子和无机ZnO材料的结合问题,可以在多种高分子材料表面实现制备;本发明的制备周期短,可以实现大规模生产。