| |
PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究
关键字：多晶 碘化汞 物理气相沉积 探测器
用热壁物理气相沉积法（Hot－Wall PVD）制备出晶体质量较好的多晶HgI2 膜，研究了生长参数对沉积膜质量的影响，对多晶HgI2 膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试；结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高，结构完整性好，均匀性好，并且其相应器件有低的暗电流（电场0.2V/μm时，为25pA/mm2）。
http://www.polymer.cn/research/dis_info1077 |
| |
新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究
关键字：碲铟汞,晶体生长,垂直布里奇曼法,光电半导体材料,近红外探测器
研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中远红外波段透过性能较好（＞50%），并且随着波长的增大，透过增强。MIT晶体为n型半导体，室温电阻率为4.79×102Ω·cm，载流子迁移率为4.6×102cm2·V-1·s-1，载流子浓度为2.83...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7253 |
| |
新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究
关键字：碲铟汞,晶体生长,垂直布里奇曼法,光电半导体材料,近红外探测器
研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中远红外波段透过性能较好（＞50%），并且随着波长的增大，透过增强。MIT晶体为n型半导体，室温电阻率为4.79×102Ω·cm，载流子迁移率为4.6×102cm2·V-1·s-1，载流子浓度为2.83...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7253 |
| |
|
|