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PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究  
PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究
资料类型: PDF文件
关键词: 多晶  碘化汞  物理气相沉积  探测器  
资料大小: 389K
所属学科: 分子表征
来源: 2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议(9.12-9.16,北京.秦皇岛)
简介:
用热壁物理气相沉积法(Hot-WallPVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试;结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μm时,为25pA/mm2)。
作者: 雷平水 史伟民 郭燕明 邱永华 潘美军
上传时间: 2007-07-17 15:20:49
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