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制备高度抗氧化的共轭聚合物性
方法
：合成和表征受阻胺封端聚（9，9-二辛基芴）
关键字：聚芴 有机电致发光
在过去的十几年中，给予有机物和聚合物材料的电子器件，如有机电致发光期间，聚合物电致发器件，有机场发射器件等，已经表现出无机器件不能比拟的优势，因此受到科学及和工业界相当的关注。
http://www.polymer.cn/research/dis_info2600
制备壳聚糖多孔膜的新
方法
：选择性酶解原位成孔
关键字：壳聚糖 选择性酶解 原位成孔
壳聚糖是由天然高分子甲壳素脱乙酰化而得到的一种氨基多糖，可聚糖高分子膜在生物宜用材料领域受到广泛的关注和研究。
http://www.polymer.cn/research/dis_info2560
假卤原子S2CNEt2基因转移的原子转移自由基聚合
关键字：原子转移自由基聚合 活性自由基聚合物
方法
控制/活性自由基聚合（CRP）是目前制备可控分子量和分子量分布窄的聚合物以及结构明确的聚合物、共聚物、嵌段和接支共聚物、聚合物刷等的重要
方法
，它是过去十年中高分子化学中最重要研究领域之一，引起了学术界和工业界的兴趣。活性自由基聚合物
方法
主要有：引发链转移终止剂（lniferter）法，稳定自由基聚合（SFRP，NMR）法，院子转移自由基聚合（ATRP）法，和可逆加成断链链转移（RAFT）聚合法。按照引发激励的差异，ATRP体系可...
http://www.polymer.cn/research/dis_info2018
DSC和XRD
方法
研究乙烯原位共聚所得支化聚乙烯的链结构
关键字：乙烯原位共聚
乙烯原位聚合生成LLDPE其主要优点在于采用单一的乙烯作为单体。新型复合催化剂制得的聚乙烯链结构具有新的特点，对其进行结构分析以及关联其性能对于进一步研究催化剂体系以实现结构可控有十分重要的作用
http://www.polymer.cn/research/dis_info1386
大功率激光窗口ZnSe的制备原理及
方法
关键字：窗口材料 透过率 ZnSe 化学气相沉积
比较了四种适用于作CO2激光器窗口的材料，Ge、KCl、GaAs和ZnSe，指出ZnSe是大功率激光器最理想的窗口材料，并列举了3种ZnSe的制备原理及
方法
，阐述了CVD
方法
制备多晶ZnSe的过程。
http://www.polymer.cn/research/dis_info1118
有机电致发光器件中阴极界面修饰的材料、
方法
及分类
关键字：电致发光 界面修饰 复合阴极 注入势垒
综述了有机电致发光器件中阴极界面修饰的材料、
方法
和分类。着重介绍了LiF/Al薄绝缘层/金属复合电极在小分子和聚合物器件中的实验结果和各种原理分析，同时阐述了使用薄绝缘层/金属复合电极作为阴极界面修饰的能级模型和理论模拟。
http://www.polymer.cn/research/dis_info1110
电化学刻蚀
方法
制备半导体材料纳米阵列
关键字：电化学刻蚀 多孔InP 多孔硅 SEM
电化学刻蚀
方法
是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的
方法
。本文简述了用电化学刻蚀
方法
制备InP以及Si规则纳米阵列的
方法
。SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构。
http://www.polymer.cn/research/dis_info837
盐酸介质中几种表面活性剂对钢的缓蚀作用
关键字：表面活性剂 盐酸介质 缓蚀作用 失重法 电化学
方法
采用失重法和电化学
方法
研究了在HCl介质中阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB，C19H42BrN)阴离子表面活性剂十二烷基磺酸钠(DSASS，C12H25SO3Na)及非离子表面活性剂聚乙二醇辛基苯基醚（OP）对钢的缓蚀作用。应用吸附理论讨论缓蚀作用产生的原因。结果表明，在同一浓度下，三种表面活性剂对钢在HCl介质中的缓蚀效率的顺序如下：CTAB>OP>DSASS。
http://www.polymer.cn/research/dis_info495
氮气流量对金刚石膜生长的影响研究
关键字：金刚石膜 氮气 生长速率 表面形貌 膜品质 EA-CVD
方法
采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD)制备掺氮金刚石薄膜，研究了不同氮气流量对金刚石膜的生长速率、表面形貌和膜品质的影响。实验发现，在较低的氮气流量下，金刚石膜的生长速率增加，在较高的氮气流量下生长速率减小。利用SEM、Raman光谱、XPS等测试手段对样品的表面形貌及品质进行了表征。结果表明，当氮气流量为4sccm时金刚石膜的结晶比较完整；当氮气流量为8sccm时生成与(100)面共存的“菜花状”。氮气流量的进一步增加，“菜...
http://www.polymer.cn/research/dis_info476
非晶SrTiO3纳米薄膜退火处理
方法
的研究
关键字：SrTiO3薄膜 退火处理 界面形态 晶化
用激光脉冲沉积技术(PLD)，以N型（100）Si为基底在300℃下制备100nm非晶STO薄膜，分别用常规退火（CFA），快速退火（RTA）以及激光诱导晶化（LIC）处理将其转化多晶薄膜，用XRD测定薄膜相组分和结晶质量，用AFM观测薄膜表面微结构。比较不同工艺退火对薄膜结晶品质的影响并阐述了各自形核结晶的机理。
http://www.polymer.cn/research/dis_info237
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