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新型芳香酰亚胺类电子受体的合成方法与性质研究
关键字：芳香酰亚胺，电子传输材料，缺电子芳香结构，电子受体，有机半导体
相比于能够传输空穴载流子的有机半导体材料而言，目前可以作为电子传输材料的有机分子结构相对匮乏。其原因之一是由于缺电子型芳香结构对常用的芳香亲电取代反应的活性相对较低，因而它们的制备方法相对有限，合成难度大。
http://www.polymer.cn/research/dis_info18225 |
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聚苯胺 /碳纳米管异质结构材料的制备及其半导体性能研究
关键字：聚苯胺，碳纳米管，光电性能，异质结构，P-N结构
聚苯胺由于具有原料易得，合成工艺简单，环境稳定性好等优点，成为了导电聚合物研究领域的热点。
http://www.polymer.cn/research/dis_info15270 |
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磷酸酯聚芴 /铝界面电子结构与高性能分光器件
关键字：高分子发光器件，薄膜伏电池,金属/有机半导体界面
有机高分子光电器件包括致发和薄膜伏池具制备工艺简单、成本低重量轻以及可制柔性器件等突出优点，是目前国际上的热研究领域,在有机平板显示、白光照明源及能领域应用前景广阔。
http://www.polymer.cn/research/dis_info15238 |
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基于高分子材料的有机场效应晶体管制备和性能研究
关键字：有机场效应晶体管，半导体层，介电层，电性能，迁移率
有机场效应晶体管（OFET）在大面积、低成本和柔性化有机电子产品方的潜在应用前景而备受学术界和工业的关注。
http://www.polymer.cn/research/dis_info15231 |
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酞菁铅及其非周边取代衍生物有机场效应晶体管半导体性能的密度泛函理论研究
关键字：酞菁配合物；有机场效应晶体管（OFET）；密度泛函理论计算
通过密度泛函理论计算从最高占据和最低空轨道、离子化能和电子亲和能以及重组能等方面研究了酞菁铅、1,8,15,22-四乙氧基酞菁铅和1,8,15,22-四(3-戊氧基)酞菁铅的有机场效应晶体管半导体性能。
http://www.polymer.cn/research/dis_info12120 |
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侧链含分子内氢键的寡聚对苯撑乙炔的平面构象设计与调控
关键字：氢键，共轭聚合物，非共价键作用，半导体材料，构象调控
本课题设计并合成了一系列相邻重复链节的侧链间可形成分子内氢键的对苯撑乙炔寡聚物分子。在侧链间氢键的“固定”作用下，整个对苯撑乙炔寡聚物链呈现刚性、平面的结构，成为非共价键控制的梯形共轭分子。进一步的研究发现，这种相邻重复链节侧链间的氢键受到分子内存在的其它氢键受体的干扰，随竞争性受体形成的氢键稳定性的变化，重复链节间的氢键随之产生或消失。
http://www.polymer.cn/research/dis_info9395 |
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新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究
关键字：碲铟汞,晶体生长,垂直布里奇曼法,光电半导体材料,近红外探测器
研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中远红外波段透过性能较好（＞50%），并且随着波长的增大，透过增强。MIT晶体为n型半导体，室温电阻率为4.79×102Ω·cm，载流子迁移率为4.6×102cm2·V-1·s-1，载流子浓度为2.83...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7253 |
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水溶性有机-无机分子复合高分子的合成及其发光性质
关键字：分子复合材料 发光高分子 半导体纳米颗粒 分子组装
近年来，半导体纳米颗粒，也称半导体纳米晶或量子点，由于具有量子尺寸效应、表面效应、介电限域效应等而表现出一系列特殊而优良的发光特性，在生物标记、发光材料、电致发光器件方面受到了越来越多研究者的关注。纳米颗粒作为生物探针进行生物标记，必须解决如何将量子点溶于水溶液和与生物分子的耦联问题。目前半导体纳米晶的合成工作多在有机相中进行，操作复杂，应用也比较困难。我们设计合成了两端分别为巯基和双键的缩乙二醇...
http://www.polymer.cn/research/dis_info5336 |
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搅拌对二氧化硅微球上的CdS纳米微粒/聚合物复合壳层的影响
关键字：原子转移自由基聚合 半导体 纳米粒子
由于直径为萎靡、亚微米的但分散的无机、聚合物胶体微球在各种作用力下可以自组装形成胶体晶体，也可作为构造空心球的模版，以及作为有机/无机纳米杂化材料的结构单元等用途，日益成为化学和材料学家们研究的热点。
http://www.polymer.cn/research/dis_info2800 |
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纳米氧化锌半导体块材晶粒生长的研究
关键字：纳米烧结 ZnO纳米块材 晶粒生长的动力学指数 表观活化能
以平均粒径20nm的ZnO超微粉为原料，研究了纳米ZnO块材烧结过程中的晶粒生长行为，由实验结果得出：在700~900℃温度范围内，纳米ZnO烧结的晶粒生长动力学指数n为6，晶粒生长的表观活化能Q为64kJ/mol，导出了纳米ZnO的晶粒生长动力学方程。与粗晶ZnO的晶粒生长进行了对比，初步分析了纳米ZnO的烧结机制。
http://www.polymer.cn/research/dis_info794 |
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