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纳米氧化锌半导体块材晶粒生长的研究  
纳米氧化锌半导体块材晶粒生长的研究
资料类型: PDF文件
关键词: 纳米烧结  ZnO纳米块材  晶粒生长的动力学指数  表观活化能  
资料大小: 128K
所属学科: 分子表征
来源: 2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议(9.12-9.16,北京.秦皇岛)
简介:
以平均粒径20nm的ZnO超微粉为原料,研究了纳米ZnO块材烧结过程中的晶粒生长行为,由实验结果得出:在700~900℃温度范围内,纳米ZnO烧结的晶粒生长动力学指数n为6,晶粒生长的表观活化能Q为64kJ/mol,导出了纳米ZnO的晶粒生长动力学方程。与粗晶ZnO的晶粒生长进行了对比,初步分析了纳米ZnO的烧结机制。
作者: 秦秀娟 邵光杰 王文魁 刘日平
上传时间: 2007-07-13 13:58:36
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