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电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列
关键字:电化学刻蚀 多孔InP 多孔硅 SEM
电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法。本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法。SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构。
http://www.polymer.cn/research/dis_info837
 
基于有机半导体纳米线复合材料的薄膜晶管
关键字:有机薄膜晶体管,共轭聚合物,复合材料
通过将有机半导体与绝缘聚合物复合,能够将有机半导体的光电性能与绝缘聚合物的优异的力学性能和环境稳定性有机地结合在一起,达到降低制造成本、改善器件性能的目的。
http://www.polymer.cn/research/dis_info15281
 
超分子聚合物半导体凝胶
关键字:共轭聚合物,自组装,纳米结构,电致发光,超分子
在聚合物半导体的分子带隙工程之后,纳米技术正成为提高聚合物器件性能、拓展器件功能的重要手段。自组装可以利用多种超分子弱作用构筑聚合物半导体的高级结构,这些超级结构表现出不同于单分子链和体相薄膜材料的光电特性,为进步调控聚合物器件功能、性能与寿命创造了无限的空间。
http://www.polymer.cn/research/dis_info14438
 
原位水解低温制备ZnO-TiO2 复合半导体光催化剂
关键字:异相光催化,纳米复合光催化剂,原位水解
以乙二醇作反应物和溶剂,通过原位水解低温晶化法在较温和的条件下制备出纳米复合ZnO-TiO2光催化剂。通过TEM、XRD、UV-Vis、BET、粒度分析等技术手段对光催化剂进行了表征,发现ZnO-TiO2是由纳米级的ZnO 和TiO2 粒子组成,该光催化剂分散性好,并且可以吸收部分可见光,扩大了光吸收范围。光催化降解甲基橙实验表明,ZnO-TiO2 纳米复合氧化物的光催化活性明显高于自制的TiO2 和ZnO 单一氧化物和商业P25&n...
http://www.polymer.cn/research/dis_info6578
 
电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列
关键字:电化学刻蚀 多孔InP 多孔硅 SEM
电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法。本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法。SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构。
http://www.polymer.cn/research/dis_info837
 
纳米氧化锌半导体块材晶粒生长的研究
关键字:纳米烧结 ZnO纳米块材 晶粒生长的动力学指数 表观活化能
以平均粒径20nm的ZnO超微粉为原料,研究了纳米ZnO块材烧结过程中的晶粒生长行为,由实验结果得出:在700~900℃温度范围内,纳米ZnO烧结的晶粒生长动力学指数n为6,晶粒生长的表观活化能Q为64kJ/mol,导出了纳米ZnO的晶粒生长动力学方程。与粗晶ZnO的晶粒生长进行了对比,初步分析了纳米ZnO的烧结机制。
http://www.polymer.cn/research/dis_info794
 
纳米氧化锌半导体块材晶粒生长的研究
关键字:纳米烧结 ZnO纳米块材 晶粒生长的动力学指数 表观活化能
以平均粒径20nm的ZnO超微粉为原料,研究了纳米ZnO块材烧结过程中的晶粒生长行为,由实验结果得出:在700~900℃温度范围内,纳米ZnO烧结的晶粒生长动力学指数n为6,晶粒生长的表观活化能Q为64kJ/mol,导出了纳米ZnO的晶粒生长动力学方程。与粗晶ZnO的晶粒生长进行了对比,初步分析了纳米ZnO的烧结机制。
http://www.polymer.cn/research/dis_info794
 
聚苯胺 /碳纳米管异质结构材料的制备及其半导体性能研究
关键字:聚苯胺,碳纳米管,光电性能,异质结构,P-N结构
聚苯胺由于具有原料易得,合成工艺简单,环境稳定性好等优点,成为了导电聚合物研究领域的热点。
http://www.polymer.cn/research/dis_info15270
 
搅拌对二氧化硅微球上的CdS纳米微粒/聚合物复合壳层的影响
关键字:原子转移自由基聚合 半导体 纳米粒子
由于直径为萎靡、亚微米的但分散的无机、聚合物胶体微球在各种作用力下可以自组装形成胶体晶体,也可作为构造空心球的模版,以及作为有机/无机纳米杂化材料的结构单元等用途,日益成为化学和材料学家们研究的热点。
http://www.polymer.cn/research/dis_info2800
 
聚苯胺 /碳纳米管异质结构材料的制备及其半导体性能研究
关键字:聚苯胺,碳纳米管,光电性能,异质结构,P-N结构
聚苯胺由于具有原料易得,合成工艺简单,环境稳定性好等优点,成为了导电聚合物研究领域的热点。
http://www.polymer.cn/research/dis_info15270
 
 
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