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您现在的位置:中国聚合物网 > 资料 > 精密仪器 光电 的搜索结果 共有结果279,当前从第101条到第110条,本次搜索耗时0.0155601
 
以六芴基苯为核的星形寡聚芴的设计、合成和光电性能研究
六芳基苯分子具有高度扭曲的骨架,而芴衍生物是一种常用的光电功能结构单元,结合六芳基苯和芴的特点,我们将六个芴环连接到一个苯环上设计合成了六芴基苯分子,晶体结构测试证实所得产物不含旋转异构体、并具有高度扭曲的结构,此结构具有高的热稳定性,良好的溶液加工性,此外大的刚性扭曲结构还能阻止分子间的聚集。
http://www.polymer.cn/research/sy_info16646
 
ZnO∶Ga透明导电膜的低温制备及特性研究
关键字:磁控溅射 ZnO:Ga 光电特性
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究。制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻~4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上。
http://www.polymer.cn/research/ct_info309
 
基于低成本芳香亲核缩聚法合成光电材料及其性能表征
近几年,因可溶解型共轭高分子的成膜性、溶液加工性以及膜的稳定性和力学性能均优于无机材料和有机小分子材料,使其在有机发光二极管、有机场效应晶体管、太阳能电池领域的应用受到了广泛的关注。目前,合成共轭高分子普遍采用的是高成本Pd催化Suzuki-Miyamura和Stille等聚合方法,单体大多采用双有机金属化合物和双卤(溴,碘)化合物[l],使其成本较高而限制其大规模应用推广。本文基于二氮杂萘酮联苯类双酚单体[2-4],设计一...
http://www.polymer.cn/research/dis_info18954
 
以六芴基苯为核的星形寡聚芴的设计、合成和光电性能研究
六芳基苯分子具有高度扭曲的骨架,而芴衍生物是一种常用的光电功能结构单元,结合六芳基苯和芴的特点,我们将六个芴环连接到一个苯环上设计合成了六芴基苯分子,晶体结构测试证实所得产物不含旋转异构体、并具有高度扭曲的结构,此结构具有高的热稳定性,良好的溶液加工性,此外大的刚性扭曲结构还能阻止分子间的聚集。
http://www.polymer.cn/research/dis_info18227
 
富勒烯的可控超分子自组装
关键字:富勒烯;超分子自组装;光电材料
富勒烯(C60)是最具应用前景的光电材料之一,近年来做为关键组分已经在多种光电器件中得以广泛应用,比如有机太阳能光伏电池。大量研究发现这些器件的性能与富勒烯活性层的形貌密切相关,因而通过控制富勒烯形貌可望改善基于富勒烯的器件性能。
http://www.polymer.cn/research/dis_info16345
 
信息功能材料研究
关键字:光电功能薄膜,高密度信息存储,聚合物光子晶体
有机信息材料因其材料结构和性能的可设计及优异的光电性能而广受关注。我们设计了一系列具有光电双稳态特性的有机分子,并制备了其规整薄膜,实现了高密度乃至纳米尺度的光、电信息存储,并在具有光电双响应性的有机薄膜上同时实现了光、电信息存储;进一步发现光电协同效应可以有效降低阈值电压、提高开关比,从而实现低能耗、高信噪比的信息存储。
http://www.polymer.cn/research/dis_info14112
 
共轭聚合物材料及其在光电领域中的应用
关键字:Conjugated polymer, Fluorene, Optoelectronical devices
有机光电子学是一门新兴的学科,其发展速度日新月异。有机光电器件基本实现了无机半导体光电器件的功能,特别是有机电致发光二极管、有机光伏电池、有机场效应晶体管等器件在某些方面已经体现出无机半导体器件无法比拟的优势,如价格低、重量轻、超薄薄、柔性等。
http://www.polymer.cn/research/dis_info13478
 
新型咔唑类光电双亲性折叠体材料的合成
关键字:折叠体 咔唑类 双亲分子
折叠构象与螺旋结构是生命体系中翻译,识别,催化,转移等生命现象中重要的表达构象。近年来,超分子化学的兴起和各种各样新的科研手段的建立促使人们能够准确的分析出分子的构象。同时人工合成出具有一定优势构象的低聚物或聚合物(即分子-折叠体)来模拟生命分子特定构象,成为人们近期关注的领域。通过对折叠体的研究,人们不断的合成出了新型的生物分子接受体和催化体系,对光能的捕获及存贮器件,可传输合成药物,和可渗透生...
http://www.polymer.cn/research/dis_info10459
 
MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究
关键字:MOCVD,In2O3薄膜,结构性质,光电性质
用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法以三甲基铟为源材料,以O2为氧化气体,在蓝宝石衬底(0001)面上生长出了高质量的立方相In2O3薄膜。研究了In2O3薄膜的结构、表面形貌和光电性质。结果表明制备样品具有In2O3体心立方结构和(222)方向择优取向生长,电阻率~6.40×10-3 Ω·cm,在可见光区域的平均透过率达到了90%以上。
http://www.polymer.cn/research/dis_info7311
 
Sn 膜硫化合成SnS 薄膜及其性能研究
关键字:sns 薄膜,两步法,光电性能
用热蒸发法技术在ITO 透明导电玻璃上沉积一层Sn 膜,将其装入石墨盒里后,放在真空炉里面硫化处理,硫化温度在150~350℃之间。通过对在不同温度下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明退火温度在230~250℃之间时所制得的薄膜为正交结构的SnS 多晶薄膜,其均匀性和对基片的附着力都较好,具有(111)方向优先生长,薄膜粒径在200~800nm。通过测量薄膜样品的反射和透射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.3...
http://www.polymer.cn/research/dis_info6875
 
 
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