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Sn 膜硫化合成SnS 薄膜及其性能研究  
Sn 膜硫化合成SnS 薄膜及其性能研究
资料类型: PDF文件
关键词: sns  薄膜  两步法  光电性能  
资料大小: 310K
所属学科: 分子表征
来源: 2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19,武汉)
简介:
用热蒸发法技术在ITO透明导电玻璃上沉积一层Sn膜,将其装入石墨盒里后,放在真空炉里面硫化处理,硫化温度在150~350℃之间。通过对在不同温度下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明退火温度在230~250℃之间时所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜,其均匀性和对基片的附着力都较好,具有(111)方向优先生长,薄膜粒径在200~800nm。通过测量薄膜样品的反射和透射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.38eV,在基本吸收边附近的吸收系数大于104/cm,用霍尔测量系统测得其导电类型为p型,适合应用于太阳能电池的吸收层材料。
作者: 彭少朋,程树英
上传时间: 2008-08-12 15:56:53
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