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具有双掺杂发射层白光OLED器件结构的研究
关键字：掺杂,白光OLED,双发射层,TBPe,DCJTB
白光有机电致发光器件是获得全色器件的基础。制备了一种具有双掺杂发射层的白光OLED器件，其结构为ITO/CuPc/NPB/ADN:TBPe/ALQ:DCJTB/ ALQ/ Mg:Ag，将2,5,8,11-tetra-tertbutylperylen-e(TBPe)掺杂到蓝光主体材料ADN中作为蓝色发光层，4–(dicyanome- thylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7tetramethyljul-olidyl-9-enyl)-4H-pyran(DCJTB)掺杂到AlQ中作为红色发光层，通过实验结果对比，研究了TBPe以及DCJTB的掺杂浓度对器...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7405 |
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In含量变化对N-In共掺杂ZnO薄膜的结构和性能的影响
关键字：ZnO薄膜,N-In共掺杂,缺陷,光致发光
采用超声雾化热解法制备ZnO薄膜，对比分析了不同In含量的N-In共掺杂ZnO薄膜的显微结构，电学和光学性质。实验结果表明在N-In共掺杂条件下In的含量对ZnO薄膜的显微结构及性能有明显的影响。In的掺入使得ZnO中总体缺陷减少，晶粒外形更规则，c轴取向性更好。引入In能使ZnO更容易向p型转变；当前驱体溶液中In的比例＞0.03后，可以显著改善ZnO薄膜的电学性能和光学性能。
http://www.polymer.cn/research/dis_info7396 |
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Mo6+, Gd3+, PbF2组合掺杂对钨酸铅发光的改善和光谱分析
关键字：钨酸铅,光产额,发光光谱,掺杂
坩埚下降法生长了(Mo6+、PbF2), (Mo6+、Gd3+), (PbF2, Gd3+)组合掺杂, 及PbF2单掺杂钨酸铅晶体，对样品进行了吸收光谱、光产额、X射线和紫外激发发光光谱等测试和表征，讨论了掺杂对钨酸铅发光的增强效果。掺杂钨酸铅总发光额都得到了增强；在门宽100ns内晶体的光产额都有提高，但在测试门宽在200ns内，(Gd3+、PbF2)掺杂样品光产额有所下降。X射线激发发光显示，PbWO4∶(Mo6+、Gd3+)的蓝发光和绿发光分量都有...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7391 |
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不同沉淀剂下掺杂离子的Y2O3:Eu3+粉体的光致发光研究
关键字：Y2O3:Eu3+,沉淀剂,发光强度,掺杂
不同沉淀剂下采用均相沉淀法制备出掺杂不同金属离子（K+，Mg2+，Ba2+）的Y2O3:Eu3+荧光粉。通过XRD、IR、激发与发射等技术研究了材料的结构与发光性能，考察了沉淀剂、掺杂的金属离子种类对Y2O3:Eu3+发光材料的结构和发光性能的影响。结果表明：用尿素作沉淀剂制备的发光性能明显强于用草酸作沉淀剂的Y2O3:Eu3+荧光粉。其中，在草酸系列中，同时掺杂K+离子能显著增强Y2O3:Eu3+的发光强度，而掺杂Mg2+，Ba2+离子则会减弱其发光强度...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7383 |
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Er3+掺杂浓度对掺Er3+:TiO2粉末结构及其光致发光特性的影响
关键字：sol-gel法,TiO2,掺杂浓度,光致发光
以钛酸正丁酯为前驱体，乙酰丙酮为络合剂，70 ℃下进行对前驱体改性的络合反应，获得改性前驱体Ti(O-Bu)4-x(AcAc)x。以异丙醇为溶剂，采用溶胶-凝胶（sol-gel）法制备0～3%（摩尔分数）Er3+掺杂TiO2粉末。差热-热重(DTA-TG)分析结果表明，掺1%(摩尔分数)Er3+:TiO2干凝胶粉末在烧结过程中，130～300℃之间出现两个放热峰，其余试样只出现一个放热峰，决定这一现象的结构因素同时也决定了材料中Er3+相对较高的分散度。X射线衍射...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7342 |
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多组分掺杂单层结构有机光导体研究
关键字：多组分掺杂,单层结构,静电照相性能
研究以联苯醌衍生物作为电子传输材料(ETM)与空穴传输材料(HTM)、电荷产生材料(CGM)和成膜树脂进行匹配，制备了三组分掺杂和双组分掺杂的单层结构有机光导体，系统地研究了电荷传输材料对单层结构有机光导体静电照相性能的影响。研究结果表明，光导体的的半衰曝光量对电子传输材料的掺杂浓度具有强烈的依赖性，半衰曝光量首先随ETM浓度的增大而减小，在780nm处，三组分掺杂光导体最低半衰曝光量为2.2μJ/cm(正充电)，负充电半衰曝光...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7300 |
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溶液法合成氨基磺酸掺杂聚苯胺的研究
关键字：导电复合材料,聚苯胺,氨基磺酸掺杂,电阻
以氨基磺酸为掺杂酸，过硫酸铵为引发剂，采用溶液聚合方法制备了氨基磺酸掺杂的聚苯胺。探讨了氨基磺酸、过硫酸铵用量，反应时间对固体产物压片电阻和在有机溶剂中的溶解度以及溶液的电导率的影响。结果表明，当n(苯胺)∶n(氨基磺酸)∶n(APS)＝1∶14.4∶0.75（摩尔比），反应时间为6h 时，固体产物的压片电阻最小为65Ω。用傅立叶红外光谱对产物进行了表征。
http://www.polymer.cn/research/dis_info7201 |
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退火气氛对Al-F 共掺杂ZnO 透明导电薄膜性能的影响
关键字：ZnO 薄膜,Al、F 共掺杂,溶胶-凝胶,退火气氛
通过溶胶-凝胶法，采用Al、F 共掺杂的方法在4 种不同的气氛下制备ZnO 薄膜，研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率和透光性随退火气氛的变化关系。制备的Al∶F∶ZnO 薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜。4 种退火气氛相比，在空气气氛下退火时，平均晶粒尺寸最大，为43.4nm，导电性能最好，电阻率可低达6.5×10-2Ω·cm。4 种退火气氛下，薄膜在可见光范围内的平均透过率均达到了75%以上...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7197 |
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纳米掺杂SnO2 的研究及其第一性原理的计算
关键字：第一性原理,SnO2,电子结构,掺杂
利用Castap 软件计算了Co 以不同比例掺杂SnO2 的电子结构，分析了掺杂及掺杂比例对改善SnO2导电性的作用，建立了纯SnO2 计算模型。计算结果表明：纯SnO2 是一种包含离子键的共价键直接禁带半导体；通过掺杂能够在一定程度上改变成键性质，使其具有金属键性质，从而提高SnO2 导电性。其中，掺杂比率为5%的价带到中间能级宽度最小，掺杂原子与其邻近原子的电荷重叠区更明显，系统电子共有化程度最高，...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7196 |
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镧掺杂PZN-PZT 陶瓷及其PVDF 压电复合材料的制备与性能
关键字：镧掺杂,pzn-pzt,pvdf,压电复合材料
采用固相烧结法合成了不同镧掺杂量的PZN-PZT 压电陶瓷和粉体。并用XRD 分析了陶瓷的晶相，扫描电镜观察到PZN-PZT 陶瓷粉体形态不太规整，颗粒粒径主要分布在1～4μm 之间。将PZN-PZT 粒子均匀分散于PVDF 基体中，制备了PZN-PZT/PVDF 压电复合材料。研究了镧掺杂量对PZN-PZT 陶瓷及复合材料压电性能的影响。结果表明，适量的镧掺杂可有效提高复合材料的压电性能，当镧掺杂量为4%（摩尔分数...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7104 |
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