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Sr 掺杂对WO3-CeO2 低压压敏陶瓷电性能的影响
关键字：WO3,压敏陶瓷,电性能
制备了不同掺量SrCO3 的WO3-CeO2 系列低压压敏陶瓷。研究结果表明：随着SrCO3 掺量的增加，WO3 晶粒尺寸逐渐减小，样品的压敏电压明显增大，非线性系数α 先增大后减小。在SrCO3 掺量为0.5%（摩尔分数）时，样品表现出较好的压敏性能，其压敏电压可低至9.1V/mm，非线性系数高至3.3。探讨了Sr 元素掺杂的作用机理。
http://www.polymer.cn/research/dis_info7172 |
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LaF3(掺杂CaF2)固体电解质湿度传感器
关键字：湿度传感器,LaF3,固体电解质
用LaF3(掺杂CaF2)小管作为固体电解质，分别以H2C2O4·2H2O、H2C2O4 混合物和Na2SO4·10H2O、Na2SO4 混合物作为参比电极，用已知水蒸气分压的纯水和KOH 溶液作为工作电极，构成了两类固体电解质水蒸气浓差电池。分别在8～33℃和6～24℃温度范围内研究了电池电动势与温度的关系，得出了有规律性的结果。即电池的电动势随温度的升高而变小，在温度恒定的情况下，随工作电极水蒸气分压的增大而变大，在EMF ...
http://www.polymer.cn/research/dis_info7154 |
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Ga 掺杂Zn4Sb3 体系热电性能的研究
关键字：zn4sb3,热导率,热电性能
首先在5～310K 温度范围内，研究了Ga 替代对化合物(Zn1-xGax)4Sb3 的低温热电性能的影响。研究发现相对于无掺杂的Zn4Sb3，(Zn1- xGax)4Sb3(x≠0)的低温热导率明显减小，而且随着Ga 替代量的增加而不断减小。另外，轻掺杂条件下（x≤0.15），掺杂后的电阻率和热电势都减小。而随后对β-Zn4Sb3 和β-(Zn0.85Ga0.15)4Sb3 的高温（300～670K）热电性能进行了测量，结果充分表明合适量的Ga 替...
http://www.polymer.cn/research/dis_info6923 |
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掺杂Fe2O3 的牙科用氧化锆陶瓷着色研究
关键字：氧化锆,着色,fe2o3,牙科
采用粉体掺杂方法在3Y-TZP 陶瓷中添加不同质量分数的Fe2O3，研究Fe2O3 对材料的着色效果及力学性能的影响。结果表明，掺杂Fe2O3 着色后的3Y-TZP 陶瓷三点弯曲强度略有下降，但不同掺杂量的测试结果均在1000MPa 以上。肉眼观察，掺杂Fe2O3的氧化锆陶瓷呈黄色，颜色均匀，透光性良好，正反面色差小；色度值测试结果显示，随Fe2O3 含量的增加陶瓷呈颜色由浅到深、亮度逐渐降低的梯度变化，且L*值和b*值...
http://www.polymer.cn/research/dis_info6766 |
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ZnO 纳米线；掺杂；气敏性能；甲烷
关键字：二氧化锡,纳米线,生长机理
使用水平石英管式电炉，以二氧化锡和石墨的混合物为原材料、高纯氮气为载气，在850 ℃温度下用直接热蒸发法制备二氧化锡纳米线。衬底硅片的直径为10mm，其上覆盖一层5nm厚的金催化剂。原材料放在石英舟中，离原材料30mm 的下风口处放置硅衬底，原材料和硅衬底都放置在石英管的中部电炉的恒温区内。用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察到二氧化锡的纳米线结构；X 射线衍射(XRD)表明二氧化锡纳米线具有四...
http://www.polymer.cn/research/dis_info6511 |
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掺杂ZnO薄膜研究
关键字：ZnO薄膜 电子束蒸发 电学性能 XRD分析
采用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜。通过X射线衍射、台阶仪及Hall效应等测试研究了衬底温度和掺杂对晶体质量和电学性能的影响，发现原位生长的ZnO薄沿c轴择优生长，且掺杂ZnO薄膜具有低达3.029×10-4Ω·cm的电阻率。
http://www.polymer.cn/research/dis_info1146 |
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Mn掺杂快淬NdFeB永磁体磁性能研究
关键字：磁性能 NdFeB 永磁 交换耦合 纳米复合
在前期研究工作的基础上，从热磁重(TMA)测量出发对快淬Nd9Fe85-xMnxB6（x=0~2）的相关磁性能及交换耦合效应作了进一步的研究。发现在最佳的热处理条件下，一定的Mn掺杂能提高快淬NdFeB的磁性能，特别是矫顽力最大能提高20%左右，但是更高的Mn掺杂量会导致矫顽力和最大磁能积的明显下降。XRD显示快淬态的NdFeB样品的晶化程度随Mn掺杂量提高而提高，但在最佳的热处理条件下所有的快淬NdFeB样品都包括硬磁性相Nd2Fe14B和软磁性相α-Fe...
http://www.polymer.cn/research/dis_info962 |
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Bi2Te3与SnBi2Te4的电子结构与热电性能研究
关键字：碲化铋 掺杂 电子结构 热电性能
用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT- DVM)和线性扩展平面波能带方法(LAPW)计算了Bi2Te3与SnBi2Te4，讨论了电子结构与热电性能之间的关系。Te(II)-Bi离子键强度和Te(I)-Bi差别不大, 而Te(II)-Bi共价键比Te(I)-Bi强。Te(I)-Te(I)原子层之间的主要相互作用是范得华力而最弱。Bi2Te3掺Sn后Te-Bi离子键增强而共价键减弱, 且费米能级处带隙变小。Sn主要影响导带结构。
http://www.polymer.cn/research/dis_info828 |
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Dy掺杂BaTiO3陶瓷的制备及其介电性能
关键字：镝 钛酸钡 介电性能
采用溶胶凝胶法制备了掺杂不同量Dy2O3(掺杂摩尔分数分别为：0.001, 0.002, 0.003, 0.005, 0.007)的BaTiO3陶瓷，并对其介电性能的变化进行了研究。结果表明：Dy2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的电阻率明显降低，当添加量为0.005mol时，电阻率最小，为4.19×108Ω·m。Dy2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的介电性能在不同掺杂量和不同频率下发生了明显变化，掺杂量为0.001mol、0.002mol时，BaTiO3陶瓷的介电特性和频率...
http://www.polymer.cn/research/dis_info758 |
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La掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷电场诱导相变的研究
关键字：PLZST 反铁电陶瓷 相变
研究了制作工艺对于反铁电陶瓷材料性能的影响，以及调压用PLZST在电场诱导下发生反铁电－铁电相变现象，对反铁电陶瓷在不同强度电场下所表现出的极化强度随电压变化进行了测试，记录结果表明，用于在持续电压作用下调压用反铁电陶瓷，对于处于反铁电－铁电开关电场附近（EAFE－FE）的电压波动调压效果最好。此时小电压波动能够引起较大范围内的极化强度值的变化，在此时对于能量的吸收作用最强。从而对于调压用反铁电陶瓷应根据陶...
http://www.polymer.cn/research/dis_info683 |
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