Bi2Te3与SnBi2Te4的电子结构与热电性能研究，2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）-中国聚合物网,论文下载

Bi2Te3与SnBi2Te4的电子结构与热电性能研究

资料类型：

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关键词：

碲化铋掺杂电子结构热电性能

资料大小：

221K

所属学科：

分子表征

来源：

2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）

简介：

用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)和线性扩展平面波能带方法(LAPW)计算了Bi2Te3与SnBi2Te4，讨论了电子结构与热电性能之间的关系。Te(II)-Bi离子键强度和Te(I)-Bi差别不大,而Te(II)-Bi共价键比Te(I)-Bi强。Te(I)-Te(I)原子层之间的主要相互作用是范得华力而最弱。Bi2Te3掺Sn后Te-Bi离子键增强而共价键减弱,且费米能级处带隙变小。Sn主要影响导带结构。

作者：

闵新民朱磊邢学玲

上传时间：

2007-07-13 14:29:16

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