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表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响  
表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
资料类型: PDF文件
关键词: 氮化硼薄膜  表面热处理  场发射  发射电流  阈值电场  
资料大小: 112K
所属学科: 性能表征
来源: 来源网络
简介:
用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于510-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响,样品场发射特性的变化可能与表面负电子亲和势有关,未进行热处理的样品阈值电场较低,可能归因于表面负电子亲和势效应,阈值电场为8V/µm,发射电流为80µA,热处理温度为800℃时,负电子亲和势仍然存在,直到热处理温度达到1000℃时,表面负电子亲和势才消失。
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上传时间: 2007-07-11 14:07:13
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