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MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究  
MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究
资料类型: PDF文件
关键词: 氢化非晶硅薄膜  暗电导激活能  光敏性  
资料大小: 262K
所属学科: 性能表征
来源: 来源网络
简介:
通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σd)的关系;发现随着Ea的增大,费米能级位置下移,缺陷态密度减少,薄膜的光敏性变好。
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上传时间: 2007-07-17 14:55:41
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相关评论 共有1人发表评论 更多评论
cqs2008    2009-09-25 17:12:55
很好的文章,下下来看看!
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