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GaAs与Si之间过渡层的设计及其分析 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
晶格失配 界面态密度 过渡层 |
| 资料大小： |
140K |
| 所属学科： |
结构表征 |
| 来源： |
来源网络 |
| 简介： |
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从理论上计算出GaAs/Si异质结在Si的（211）面上界面态密度最小，故GaAs在Si（211）面上生长晶格失配度较小。同时，为了缓解晶格失配，我们采用生长一层GaAs多晶层或Te过渡层得到较好的结果。 |
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| 上传人： |
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| 上传时间： |
2007-07-06 15:10:22 |
| 下载次数： |
591 |
| 消耗积分： |
2
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