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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
氧化物 p-n结 外延生长 正磁电阻 |
| 资料大小： |
160K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛） |
| 简介： |
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采用替位掺杂的方法，使用激光分子束外延技术，成功地制备出钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶/钛酸钡、YBCO/钛酸锶和钛酸锶/锰酸镧等全氧化物p-n结。X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等测量分析结果均表明，p-n结构的表面与界面均达到原子尺度的光滑，p-n结的I-V曲线显示了很好的整流特性。首次观测到全氧化物p-n结电流和电压的磁调制特性与正的巨磁电阻效应，在290K和255K条件下，外磁场变化5398A/m时，磁电阻的最大灵敏度分别达到85&#8486；/Oe和246&#8486；/Oe；在一个多层p-n结构上，磁电阻的变化率&#1048661；R/R0达到517%。 |
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| 作者： |
吕惠宾 戴守愚 陈正豪 周岳亮 金奎娟 程波林 何萌 郭海中 刘立峰 黄延红 杨国桢
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| 上传时间： |
2007-07-17 14:09:39 |
| 下载次数： |
618 |
| 消耗积分： |
2
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