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MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究

MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究

资料类型：

PDF文件

关键词：

氢化非晶硅薄膜暗电导激活能光敏性

资料大小：

262K

所属学科：

分子表征

来源：

2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）

简介：

通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a－Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试，可得到暗电导激活能(Ea)，并研究了Ea与a－Si:H薄膜光敏性(σph/σd)的关系；发现随着Ea的增大，费米能级位置下移，缺陷态密度减少，薄膜的光敏性变好。

作者：

高卓胡跃辉朱秀红马占杰周怀恩陈光华

上传时间：

2007-07-17 14:55:41

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