高热稳定性POSS基噁二唑星型杂化电子传输材料制备、结构与性能，2009年全国高分子学术论文报告会（8.18-8.22，天津）-中国聚合物网,论文下载

高热稳定性POSS基噁二唑星型杂化电子传输材料制备、结构与性能

资料类型：

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关键词：

聚倍半硅氧烷噁二唑杂化电子传输

资料大小：

101K

所属学科：

分子表征

来源：

2009年全国高分子学术论文报告会（8.18-8.22，天津）

简介：

随着有机电致发光器件(OLED)的发展，含缺电子的杂环基团因能有效地提高电子亲和能而备受关注。噁二唑具有良好的电子注入与传输性能，能大大提高在电致发光器件的性能，因而受到广泛关，但小分子电子传输材料易热致晶化或在掺杂过程中出现相分离而影响器件的使用寿命。多面低聚倍半硅氧烷(POSS)是一类具有刚性结构的笼型分子，其顶角上的活性基团，可与不同的官能团发生反应，得到分子水平杂化高分子材料，该类杂化材料不仅具有高的热稳定性，而且呈现新颖的光电性能。本文通过Pt(dcp)催化H8-POSS和噁二唑苯乙炔（2-(4-丁烷氧基苯基)-5-(4-乙炔基苯基)-1,3,4-噁二唑）的硅氢化加成反应，制备了含噁二唑功能基团的POSS基星型杂化材料（图1），研究其结构对材料热稳定性和电子传输性能的影响机制。

作者：

汪新1,2 张超1 徐洪耀

上传时间：

2009-10-15 11:33:38

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