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微米级硫化物半导体的红外发射率研究 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
硫化物半导体 红外发射率 晶格畸变 晶格振动 |
| 资料大小： |
327K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛） |
| 简介： |
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为了制备出在8～14&micro；m红外波段具有较低红外发射率的粉体，以硫化镉（CdS）、硫化锌（ZnS）为原料，采用了气氛固相烧结法制备了微米级的CdZnS固溶体粉体。采用XRD、BET（ASAT2010）比表面仪表征，研究了粉体的结构、粒度等特征。通过IR-1红外发射率测量仪器测试了粉体在8～14&micro；m波段的红外发射率。着重讨论了粉体的晶格畸变和8～14&micro；m波段红外发射率之间的关系，并对此给出了一定的解释。 |
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| 作者： |
王函 徐国跃 翁履谦 王芹 王秀华
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| 上传时间： |
2007-07-17 16:47:44 |
| 下载次数： |
615 |
| 消耗积分： |
2
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| zszhong 2009-07-13 16:27:20 |
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| zszhong 2009-07-13 16:27:12 |
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| heweistar 2009-06-30 16:35:33 |
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