高质量自调Q激光晶体Cr4+,Nd3+:Gd3Ga5O12的生长，2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）-中国聚合物网,论文下载

高质量自调Q激光晶体Cr4+,Nd3+:Gd3Ga5O12的生长

资料类型：

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关键词：

共沉淀法固相合成法 Cr4+ Nd3+:GGG晶体光谱

资料大小：

134K

所属学科：

分子表征

来源：

2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）

简介：

用固相合成、共沉淀等方法合成了Cr4+,Nd3+:GGG晶体的单相多晶材料。讨论了共沉淀法和固相合成法合成GGG单相的技术参数。用合成的单相多晶原料生长了高质量的Cr4+,Nd3+:GGG单晶。通过测晶体的光谱性质发现：Cr4+,Nd3+:GGG晶体在400nm和520nm附近存在Cr3+离子的强的吸收峰。在808nm附近存在Nd3+离子宽的吸收带，能与InGa二极管激光有效的耦合；在1100附近有Cr4+的较强的吸收带，可实现对Nd3+的自调Q输出。Cr4+,Nd3+:GGG晶体的荧光光谱与Nd:GGG晶体的一样，发光中心也位于1062nm，但其强度约为Nd:GGG的1/5~1/6。Cr4+,Nd3+:GGG晶体是一种非常有潜力的自调Q激光晶体，可以实现大功率激光器的小型化和全固化。

作者：

姜本学赵志伟徐军邓佩珍

上传时间：

2007-07-18 12:03:29

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