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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
氢化非晶硅 氢含量 光敏性 光致衰退 |
| 资料大小： |
299K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛） |
| 简介： |
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采用MW-ECRCVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性（σp/σd）和光致衰退测试。对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性，得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素，而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用。 |
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| 作者： |
王青 阴生毅 胡跃辉 朱秀红 荣延栋 周怀恩 陈光华
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| 上传时间： |
2007-07-06 15:51:25 |
| 下载次数： |
617 |
| 消耗积分： |
2
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