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高分子半导体复合薄膜垂直相分离分析新技术 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
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| 资料大小： |
318KB |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2014年全国高分子材料科学与工程研讨会 |
| 简介： |
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高分子复合薄膜材料在高分子场效应晶体管、太阳能电池和热电器件领域有着广泛的应用前景。然而，由于不同组分间的化学不相容性，或者由于聚合物和衬底的相互作用，薄膜中沿着厚度方向的垂直相分离是非常普遍的现象。垂直相分离往往形成层状结构，对电子器件的性能产生非常大的影响，是该领域研究的重点。尽管如此，目前聚合物薄膜垂直相分离的分析表征技术要么耗时太长，要么很昂贵。在这篇会议论文中，我们介绍一种测试薄膜中不同深度位置处吸收光谱的新方法，用于分析薄膜中不同深度位置处的组分分布。在图1中，我们用聚（3一己基噻吩）：聚苯乙烯(P3HT: PS)(5 wt% P3HT)复合薄膜为例来阐述这种方法。薄膜在氧等离子体的作用下沿薄膜厚度方向逐步被刻蚀掉，我们用吸收光谱仪来检测薄膜在刻蚀过程中的变化。我们的研究表明，P3HT主要富集在薄膜的上表面附近，而PS更多的靠近衬底。用这种材料制备的场效应晶体管，PS可屏蔽住衬底表面的大部分陷阱，从而有利于提高器件性能。我们认为这种分析方法可以用于分析其他高分子薄膜的垂直相分离。 |
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| 作者： |
鲁广昊
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| 上传时间： |
2014-11-18 13:58:42 |
| 下载次数： |
0 |
| 消耗积分： |
2
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