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具有隔离结构的RGO/UHMWPE电磁屏蔽材料  
具有隔离结构的RGO/UHMWPE电磁屏蔽材料
资料类型: JPG图片格式
关键词: 石墨烯  超高分子量聚乙烯  隔离结构  电性能  电磁屏蔽性能  
资料大小: 415KB
所属学科: 分子表征
来源: 第二届高分子成型加工及其产业发展研讨会(2015.5.16-18成都)
简介:
石墨烯由于极大的比表面积、径厚比和高电导率,广泛用于导电高分子复合材料[1, 2]。本文通过溶液辅助分散法将氧化石墨烯(GO)包覆在超高分子量聚乙烯(UHMWPE)微粒表面,并通过水合肼还原、模压成型制备了还原氧化石墨烯(RGO)/UHMWPE导电复合材料。光学显微镜形态结果表明RGO选择性分布在UHMWPE微区界面处形成连续导电网络,即在复合材料中形成隔离结构[3, 4]。热压成型过程中,由于UHMWPE的高熔体粘度,RGO很难渗入到UHMWPE微区内部,最终选择性分布于微区界面。研究发现,隔离结构形成有利于提高RGO/UHMWPE复合材料的高电磁屏蔽性能。RGO含量仅为1.5 vol%时,复合材料平均磁屏蔽效能(EMI SE)可达26.7 dB,已满足商业应用基本水平(20 dB);RGO含量增加到6.4 vol%时,平均EMI SE可提高至47.3 dB。
作者: 崔成华,庞欢,鄢定祥,李忠明
上传时间: 2015-06-26 15:13:23
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