聚酰亚胺/二氧化硅/银杂化薄膜的研究――SiO2对银粒子迁移的影响，2007年全国高分子学术论文报告会（10.9-10.13，成都）-中国聚合物网,论文下载

聚酰亚胺/二氧化硅/银杂化薄膜的研究――SiO2对银粒子迁移的影响

资料类型：

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关键词：

聚酰亚胺银二氧化硅杂化薄膜迁移

资料大小：

347K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年全国高分子学术论文报告会（10.9-10.13，成都）

简介：

聚酰亚胺以其优异的耐热性能、力学性能以及耐溶剂性能广泛应用于绝缘材料和结构材料，具有功能化的聚酰亚胺/无机纳米杂化材料现在也成为人们的研究重点。原位一步自金属化法[1]是制备聚酰亚胺/金属纳米粒子复合材料的一种独特的方法。这种方法能有效地解决银纳米粒子在聚酰亚胺基体中的分散问题，在热处理过程中银容易迁移至薄膜表面，并在表面形成银层[2、3]。而在某些应用中，通常要求金属纳米粒子均匀分散在聚酰亚胺基体中而不发生迁移。因此我们首次开发了聚酰亚胺/二氧化硅/银三元复合杂化体系。二氧化硅的加入可以对银纳米粒子向聚酰亚胺薄膜表面迁移起到抑制作用，同时可以提高聚酰亚胺的强度和降低热膨胀系数[4、5]。该杂化薄膜可作为吸波材料，电磁屏蔽材料，介电材料在微电子，信息，军事航空航天等方面具有广泛的应用前景。

作者：

战佳宇罗宁吴战鹏武德珍

上传时间：

2007-11-09 11:58:46

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