利用Alq3作为发射层的高增益有机金属基极晶体管，2007年全国高分子学术论文报告会（10.9-10.13，成都）-中国聚合物网,论文下载

利用Alq3作为发射层的高增益有机金属基极晶体管

资料类型：

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关键词：

利用 Alq 发射增益有机金属基极
晶体管

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所属学科：

分子表征

来源：

2007年全国高分子学术论文报告会（10.9-10.13，成都）

简介：

晶体管是一个多重结的半导体器件，通常晶体管会与其他电路器件集成在一起，以获得电压、电流或是信号功率增益。双极型晶体管是最重要的半导体器件之一，在高速电路、模拟电路、功率放大等方面具有广泛的应用。与只有一种载流子参与传导的场效应晶体管器件不同，双极型晶体管器件是一种电子与空穴参与导通过程的半导体器件。1928年JuliusE.Lilienfeld发明了一种“AmplifierforElectriccurrents”并在1932年获得美国专利。这种器件是一种类似三明治结构(即半导体-金属-半导体结构)的晶体管，其中金属作为晶体管的基极，两层半导体分别作为晶体管的发射层和收集层，它被认为是金属基极晶体管的前身。现代金属基极晶体管是由Atalla、Kang和Gepp-ert在1962年提出的，最初认为它可以在高速器件中得到应用，但是现在人们越来越关注金属基极晶体管在传感器和放大器等方面的应用。

作者：

仪明东马东阁

上传时间：

2007-11-21 11:47:26

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286521845 2009-02-11 11:42:35

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