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新型掺杂剂掺杂聚吡咯微米带的制备与表征 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
新型掺杂剂 聚吡咯 微米带 化学氧化法 |
| 资料大小： |
895K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2007年全国高分子学术论文报告会（10.9-10.13，成都） |
| 简介： |
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聚吡咯以其环境稳定性好、电导率高且变化范围大、容易合成等优点[1]日益受到人们的关注，在微电子、光学、电化学、生物技术等领有着具有广阔的应用前景。但是普通方法制备的聚吡咯具有不溶不熔性，难于加工成形，限制了它的应用。控制聚吡咯的生长，直接合成具有所需形貌的聚吡咯是解决这一问题的最佳途径[2]。另外制备具有一维微/纳米结构的聚吡咯集导电性和尺寸效应为一身，可以大大的拓展聚吡咯的应用领域。本文运用化学氧化法利用酸性媒介深黄GG(AMYGG)为掺杂剂制备出了具有一维微米结构微观形貌的聚吡咯。 |
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| 作者： |
任丽 张雪峰 苏利伟 孙应发
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| 上传时间： |
2007-11-26 15:00:45 |
| 下载次数： |
488 |
| 消耗积分： |
2
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| 立即下载： |
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