Si纳米线/纳米结构PPV 杂化体系的制备及其发光性能，2007年全国高分子学术论文报告会（10.9-10.13，成都）-中国聚合物网,论文下载

Si纳米线/纳米结构PPV 杂化体系的制备及其发光性能

资料类型：

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关键词：

激光诱导转移硅纳米线 PPV 光致发光

资料大小：

346K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年全国高分子学术论文报告会（10.9-10.13，成都）

简介：

本体硅具有间接带隙，在红外有微弱的发光现象，不能作为有效光源在光电子器件中应用。1990年Canham发现硅纳米结构的可见发光，这引起了人们的极大兴趣，现在已成为研究的热点之一。由于硅基纳米材料与目前的半导体工艺的兼容性，因此它在光电子器件中作为光源的应用有着诱人的前景。硅基纳米材料包括多孔纳米硅、硅量子点和硅纳米线等。然而，尽管人们对硅基纳米材料的发光性能和发光原理进行了大量研究，但目前发光效率仍然较低，因此采取了多种途径来提高发光性能，其中之一就是与聚合物进行杂化。本文通过激光诱导转移技术，在硅基底上制备了硅纳米线网络，然后旋涂聚苯乙炔（PPV）前驱体，加热后得到Si纳米线/纳米结构PPV杂化体系，并对其结构和光致发光（PL）性能进行了研究。

作者：

朱家莹 Muriel Rigout 张莉牛海军姜宪凯白续铎

上传时间：

2007-12-05 15:41:41

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429

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