计算机模拟剪切场诱发的嵌段共聚物熔体有序／取向相变，2007年全国高分子学术论文报告会（10.9-10.13，成都）-中国聚合物网,论文下载

计算机模拟剪切场诱发的嵌段共聚物熔体有序／取向相变

资料类型：

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关键词：

有序相变嵌段共聚物熔体剪切场

资料大小：

60K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年全国高分子学术论文报告会（10.9-10.13，成都）

简介：

目前剪切场已成为调控高分子材料大尺度结构和功能的有效手段。在嵌段共聚物熔体中剪切场诱发的长程取向有序大大地提高了材料的力学、光、电性能。但剪切场诱发的有序相/取向相变的机理一直没有被认识。在本文利用大规模并行的计算机模拟技术从微观分子构象、介观相区拓朴形貌和宏观观察量压强／流变特性三个层次研究剪切诱发的有序／取向相变。结果表明剪切场提高了有序相变的临界温度，形成的有序片晶相具有垂直取向。有序相变的临界条件与宏观剪切速率与微观尺度的分子低松弛时间的竞争有关。剪切场诱发的有序相变是一级相变，动力学为形核长大机制。在低剪切速率，单个各向异性晶核在经过诱发期后长大成为完美的垂直取向的片晶。随着剪切速率，有序加快。在高剪切速率，多个晶核快速长大为有缺陷的垂直取向的片晶（或多晶）。有序相变的动力学曲线可用Avrami描述，其中Avrami指数为2～4。有序相变受宏观剪切速率和相分离强度影响，随宏观剪切速率和相分离强度的增加，有序加快。在有序相变过程中，微观尺度的分子构象的各向异性，说明了在外加宏观剪切的速率大于有序相变的临界剪切速率时,剪切场提供的能量导致分子取向。片晶沿垂直取向是剪切诱导的分子构象沿vorticity轴方向取向的结果。

作者：

郭洪霞

上传时间：

2007-12-19 16:31:49

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