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R.F. 磁控溅射生成的氧化钨薄膜的性能 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
氧化钨薄膜 电致变色 r.f.磁控溅射 |
| 资料大小： |
119K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛） |
| 简介： |
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由于薄膜沉积过程中缺乏氧气，溅射得到的是化学配比偏离WO3的氧化钨薄膜，本文详细研究了不同电压下，R.F磁控溅射生成的不同化学配比的氧化钨薄膜的伏安循环特性；发现它们在一定电压范围内（1.15V到2.8V）都可产生着色现象。着色后对光的吸收是一致的。光的透过率显示电压超过某一值后，膜的变色能力减弱并消失。XRD显示本文所得氧化钨薄膜主要是非晶态的结构。 |
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| 作者： |
李竹影 宋玉苏 刘祖黎 姚凯伦
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| 上传时间： |
2007-07-12 15:24:49 |
| 下载次数： |
617 |
| 消耗积分： |
2
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