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MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜  
MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜
资料类型: PDF文件
关键词: ZnO薄膜  MOCVD  定向生长  压电双晶片  
资料大小: 147K
所属学科: 分子表征
来源: 2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议(9.12-9.16,北京.秦皇岛)
简介:
采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积(A-MOCVD)的方法,在普通多晶黄铜基片上制备ZnO薄膜。薄膜的SEM、XRD结果表明ZnO沿C轴取向垂直生长在基片上。综合分析ZnO自身晶体生长习性,提出了ZnO薄膜在普通多晶铜表面的生长模型。并将ZnO薄膜制备成压电双晶片元件,在光学显微镜下能观察到元件尖端产生了很大的位移量,结果表明高定向性ZnO薄膜具有优异的压电特性。该压电器件使得传统的小变形双晶片元件的数学模型失效,有必要建立新型大变形双晶片物理、数学模型。
作者: 林煌 袁洪涛 童强 张阳 张跃
上传时间: 2007-07-12 16:31:00
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