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离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
半绝缘性砷化镓 磁性半导体 铁磁性转变温度 |
| 资料大小： |
114K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛） |
| 简介： |
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采用高能离子注入的方式，在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体。借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析，没有发现新的衍射峰，并运用高分辨率X-射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化。根据原子力显微镜的结果发现，注入后的样品表面没有发生明显的变化。通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析，在所分析范围内M-T曲线存在拐点，但其所对应的铁磁性转变温度低于室温。 |
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| 作者： |
宋书林 陈诺夫 尹志岗 柴春林 杨少延 刘志凯
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| 上传时间： |
2007-07-13 11:49:24 |
| 下载次数： |
615 |
| 消耗积分： |
2
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| 立即下载： |
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