APCVD方法制备SnO2薄膜的结构和光致发光特性，2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）-中国聚合物网,论文下载

APCVD方法制备SnO2薄膜的结构和光致发光特性

资料类型：

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关键词：

APCVD 氧化锡薄膜光致发光

资料大小：

94K

所属学科：

分子表征

来源：

2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）

简介：

采用常压化学气相沉积法（APCVD）在玻璃衬底上制备出SnO2薄膜，对薄膜的结构和光致发光性质及退火处理对薄膜结构和发光特性的影响进行了研究。制备SnO2薄膜为六角金红石结构，最大晶粒尺寸约为1000nm。室温光致发光（PL）谱测量表明，在396nm处存在强的发光峰。研究了退火处理对发光性质的影响，并对辐射机理进行了探索。

作者：

计峰马瑾王玉恒余旭浒宗福建程传福马洪磊

上传时间：

2007-07-13 14:12:24

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