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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
电场增强晶化 多晶硅薄膜 金属诱导晶化 薄膜晶体管 |
| 资料大小： |
160K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛） |
| 简介： |
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采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜，拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好，X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用，可以得到结晶良好的多晶硅薄膜。采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件，其迁移率为65cm2/V&#8226；s，开关态电流比为5106。 |
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| 作者： |
曾祥斌 孙小卫 李俊峰 齐国钧
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| 上传时间： |
2007-07-13 14:23:46 |
| 下载次数： |
615 |
| 消耗积分： |
2
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